钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响

表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe探测器的性能 ,尤其对于共面栅探测器 ,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。研究了化学钝化的工艺条件对CdZnTe表面状态的影响 ,借助原子力显微镜、电子探针和微电流测试仪等手段 ,研究了CZT表面形貌、组成等特性与器件电学性能之间的关系 ,有效地降低了器件的表面漏电流     

位错与含裂纹非理想界面圆形夹杂的干涉效应

研究了基体中任意位置的螺型位错与含裂纹非理想界面圆形弹性夹杂的干涉力学问题。运用复变函数的解析延拓技术与奇性主部分析方法,获得了该问题复势函数的一般解答。作为典型例子,求出了非理想圆形界面含一条裂纹时基体和夹杂区域复势函数的封闭形式解。计算了作用在螺型位错上的位错力。讨论了含裂纹的非理想界面以及材料失配对位错力的影响规律。结果表明:与含裂纹理想界面相比,非理想界面对位错力的影响更大,对位错的捕获能力更强。硬夹杂时,可能存在非稳定平衡点,使得非理想界面、界面裂纹和夹杂对位错的作用力为零;软夹杂时,非理想界面、界面裂纹和夹杂则始终吸引位错。     

垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时坩埚下降速度的优化研究

在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响。本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析,主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响,发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因。模拟结果表明,当坩埚下降速度Vp≈1mm/h时,其数值与晶体生长速度接近相等,可获得接近水平的固-液界面。实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致。因此,通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案。     

有限元模拟对CdZnTe共面栅探测器的优化设计

利用有限元分析软件ANSYS，通过变化栅宽、沟宽及栅极位置等因素，模拟了共面栅探测器在不同的电极设计时的电势分布，并讨论了电极分布不对称时所产生的边缘对感应信号的影响，显示了具有优化设计的共面栅电极，可以进一步提高探测器的能量分辩率。     

论五四时期劳工文学思潮以及劳工形象的发展演变

五四时期,劳工神圣思潮盛极一时,对文学创作有巨大影响,开始表现底层人的苦难生活,而人力车夫成了众多作家致力于表现的题材,继劳工神圣思潮后,平民主义思潮反映在文学创作上仍是表现普通人的苦与泪,社会主义思潮悄然崛起,在此影响下,文学作品中出现了真正的产业工人.     

羊毛酶减量加工对纤维染色性能的影响

介绍了蛋白酶和羊毛的作用原理，分析了Ｈ２Ｏ２－酶减量加工中各因素对纤维减量率及染色性能的影响，总结出酶整理的最佳工艺，并提出经酶处理后的羊毛实现低温染色的工艺。     

vfBGA内部芯片断裂问题

利用ANSYS软件以有限元分析的方法研究了vfBGA器件内部芯片断裂问题.通过建立模型和模型评价得到了适当的三维简化模型及导致芯片断裂的等效应力大小.根据对测试过程的模拟预测找到了引起芯片断裂的原因.研究发现,测试过程中设备与器件间的非正常接触所产生的应力集中是导致芯片断裂的根本原因.     

一种SiGe BiCMOS高速PNP器件的设计

设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构PNP器件.基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的影响.在确定器件结构和制作工艺的基础上,进一步优化了器件特性.基于仿真得到的工艺条件所制作的PNP器件,其特性与仿真结果基本一致.最终优化的PNP器件的电流增益为38,击穿电压大于7V,特征频率为10 GHz.该PNP晶体管改善了横向寄生硅基区PNP晶体管的性能,减少了垂直SiGe基区PNP晶体管工艺的复杂性,采用成本低廉的简单工艺实现了优良的器件性能.     

垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体时固液界面形状的控制

采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析,研究了不同因素对生长过程中固液界面形状的影响.模拟结果表明,当坩埚下降速度约为1mm/h时,可获得接近水平的固-液界面.晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致.因此,通过适当选择和调节坩埚下降速度可获得高质量晶体.     

vfBGA内部芯片断裂问题

利用ANSYS软件以有限元分析的方法研究了vfBGA器件内部芯片断裂问题.通过建立模型和模型评价得到了适当的三维简化模型及导致芯片断裂的等效应力大小.根据对测试过程的模拟预测找到了引起芯片断裂的原因.研究发现,测试过程中设备与器件间的非正常接触所产生的应力集中是导致芯片断裂的根本原因.