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为了满足高性能锁相环对高频压控振荡器低相位噪声的要求,提供了CMOS全集成负电导压控振荡器在2.2 GHz频率的设计。这种结构的优点和缺点要在设计中相互平衡。CMOS VCO的相位噪声应用据线性时变脉冲敏感函数(ISF)分析和计算并且与仿真结果进行比较。结果证明线性时变模型ISF能够很好的估算相位噪声,同时使用LC滤波技术改善相位噪声性能,在1/f3区域,相位噪声改善了9 dBc/Hz;在1/f2区域,改善了5 dBc/Hz。在最后给出使用0.35μmCMOS工艺制作的2.2 GHz VCO的实验结果。 相似文献
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对LVDS工作原理、特点和标准进行分析和研究,并介绍LVDS在平板显示系统中的应用. 相似文献
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