Growth of SiO_2 nanowires on different substrates using Au as a catalyst

SiO_2 nanowires were prepared on a SiO_2/Si(111) or Si substrate using Au as a catalyst.The products were characterized using scanning electron microscopy(SEM) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS).SEM shows that large amounts of SiO_2 nanowires with a diameter of 20-150 nm and length of several nanometers were formed on the entire surface of the substrate.XPS analysis indicates that the nanowires have the composition of Si and O in an atomic ratio of about 1:2,and their composition approximates that...     

长直SiO_2纳米线的制备和结构表征

采用磁控溅射法,以Si粉和溅金Si(111)为原料,加入C粉,在Si(111)衬底上制备无定形SiO2纳米线。首先,在Si(111)衬底上分别溅射厚度为18和36 nm的Au。然后,在1 100℃条件下处理80 min。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶红外光谱(FTIR)和X射线衍射方法 (XRD)等测试手段对退火后的SiO2纳米线的表面相貌、微观结构进行分析。结果表明,反应后有大量长而直的SiO2纳米线生成。而且随着溅射Au厚度的增加,SiO2纳米线的数量增多,且长度更长。这表明,SiO2纳米线的生长与溅射Au的厚度密切相关。     

Au/SiO_2纳米复合薄膜的结构表征及光致发光特性

采用磁控溅射和退火技术制备出Au/SiO2纳米复合薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对上述纳米复合薄膜进行了结构表征。实验结果表明,纳米复合薄膜的表面上均匀分布着直径在100～300nm的金纳米颗粒。金纳米颗粒的大小随着退火时间的增加而增大。用荧光光谱仪(PL)对薄膜的光致发光特性进行了研究。结果表明,在激发波长为325nm时,分别在525nm和560nm处出现两个发光峰;在激发波长为250nm时,在325nm处出现发光峰,这一发光峰可能与非晶SiO2的结构缺陷有关。     

Au/SiO_2纳米复合膜的形貌及发光特性

采用磁控溅射和退火法在Si(111)衬底上制备Au/SiO2纳米复合薄膜,并在两种实验模式下进行退火处理。模式A:不同的退火温度,退火20min;模式B:退火温度1 000℃,不同的退火时间。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射方法(XRD)和光致发光(PL)等测试手段对退火后的Au/SiO2纳米复合薄膜的表面形貌、微观结构和发光特性进行了分析。SEM结果表明,在模式A情况下,随着温度的增加,Au纳米颗粒的大小先增加后减小,这与XRD测试结果相吻合。PL结果表明,在模式B情况下,随着退火时间的增加,发光峰强度先增加后减小。在325nm波长下激发,440nm的发光峰与Au颗粒的大小和数量有关,而523nm的发光峰与纳米复合膜的结构有关,这与SEM平面图相吻合。实验结果表明,Au/SiO2纳米复合薄膜的表面形貌、微观结构和发光特性与退火温度及退火时间有很强的依赖关系。     

利用金作为催化剂在不同衬底上制备二氧化硅纳米线

利用金作为催化剂分别在二氧化硅及硅衬底上制备出二氧化硅纳米线。用扫描电子显微镜（SEM）及x射线光电子能谱（XPS）对纳米线进行了结构表征。SEM结果表明二氧化硅纳米线的长度为几个纳米,直径为20-150纳米。XPS结果给出硅与氧的原子比为1:2,说明所得到的为二氧化硅纳米线。二氧化硅纳米线的生长机理为气-液-固（VLS）机制。实验发现退火时间影响二氧化硅纳米线的形貌。我们也讨论了衬底对纳米线生长的影响。