氮离子注入的SOI研究与进展

本文综述大剂量注入氮离子的SOI技术及共新近进展,并与大剂量注入氧离子的SOI技术作了比较,指出了氮SOI的研究方向,探讨了注氮SOI的形成机理。     

低温退火形成浅p~+n结

本文首次报道F预非晶注入与BF_2注入并在低温(600～800℃)下退火形成浅p~+n结。研究了这两种注入的电激活行为及漏电行为,并与B注入作了比较。F预非晶注入结合低温退火可形成xi<0.2μm,漏电流在nA/cm~2左右(V_R=-5V)的浅结。     

双离子注入V槽MOS技术

本文提出了一种运用于大规模数字集成电路的n沟双离子注入(或者扩散)侧面V-MOS结构即D-V-MOS。此结构的有效沟道长度是通过V槽技术在高阻P型衬底上利用纵向杂质分布不同的n型和p型来形成的。因此D-V-MOS的阈值电压和有效沟道可直接由离子注入准确控制。于是,一个具有电性能良好的甚短沟道(沟道长度0.1～0.2μm)器件就实现了。对于这种n沟自隔离、自对准增强/耗尽(E/D)D-V-MOS器件只需用五步掩蔽的简单制作工序就可以做出来。本文介绍了此结构的制作过程,并对有关V型结构的独特之处及其短沟道效应进行了论述。从而得出关于短沟道D-V-MOS由于源——衬底偏置变化而引起的所谓衬底灵敏度是很小的,即使在1000埃的栅氧化层情况下也如此。     

采用微分电导法(R_□)评估POLY/SIS/Si界面状况

提出一种采用微分电导法 (R□ )分别检测实验样品和陪测样品的 R□ ,同时引入 α和 αn 因子分别评估自掺杂多晶硅生长前 Si表面清洗状况 (SIS层厚度 )和自掺杂多晶硅生长后退火或后续高温多晶硅杂质载流子退火特性以及杂质在 POL Y/SIS/Si界面流动情况 .通过实际检测发现这种方法可以定性判断 SIS厚薄和了解自掺杂多晶硅生长后退火或后续高温多晶硅杂质载流子退火特性以及可以半定量估算出自掺杂多晶硅杂质流向 N-层或N+ 层流向自掺杂多晶硅层的杂质总量     

GeSi-PMODMOS器件研究

在分析PMODMOS结构以及器件物理基础上,重点研究了GeSi沟道中Ge含量分布、超薄栅介质层SiO2和Si帽层厚度等对GeSi－PMODMOS特性的影响。介绍了与GeSi-PMODMOS结构器件相关的超薄栅介质层（PESiO2,LPSiO2）、超浅结工艺和超浅结金属化等重要工艺技术。     

一种新的深硅槽工艺技术

提出采用离子注入方法提高主掩膜光刻胶的耐干法腐蚀和腐蚀窗口硅的腐蚀速率,实现了在比较简陋的干法腐蚀设备上采用反应离子腐蚀模式进行深/浅硅槽工艺。     

采用微分电导法（R□）评估POLY／SIS／Si界面状况

提出一种采用微分电导法（R□）分别检测实验样品和陪测样品的R□，同时引入α和αn因子分别评估自掺杂多晶硅生长前Si表面清洗状况（SIS层厚度）和自掺杂多晶硅生长后退火或后续高温多晶硅杂质载流子退火特性以及杂质在POLY／SIS／Si界面流动情况。通过实际检测发现这种方法可以定性判断SIS厚薄和了解自杂多晶硅生长后退火或后续高温多晶硅杂质载流子退火特性以及可以半定量估算出自掺杂多晶硅杂质流向N^-层或N^ 层流向自掺杂多晶硅层的杂质总量。     

硅栅CMOS倒阱工艺研究

我们从八十年代中期研究的一种倒阱工艺,采用高能注阱,使杂质峰位于阱内,形成载流子减速场,有利于克服常规工艺的自锁效应。阱深可由6～7μm降为2μm左右,能克服常规工艺的许多局限性,工艺简单,省掉高温推阱工艺,有利于大圆片低温工艺实现。