三毫米单片集成电路噪声系数测量技术

采用双平衡混频器和本振信号源,把3 mm频段的噪声信号下变频至噪声系数分析仪的频率范围内,配探针台作在片噪声系数测量。为了减小本振源相位噪声和系统元件损耗的影响,在混频器前加低噪声放大器,使系统更加稳定,重复性好、准确度高。该系统具有频率范围宽可扩展至75～110 GHz、结构简单、成本低的特点。     

高精度噪声系数测量系统整体校准方法研究

利用"源端失配误差修正的冷噪声测量技术"的高精度噪声系数测量系统问世以来,得到了噪声测试工程师的广泛认可,其主要特点是在系统自校准和测量两个环节中,都使用了一个阻抗调配器呈现不同(4~7个)源阻抗状态,从而降低甚至消除测量过程中的源端失配误差,提高了噪声系数测量精度。这种崭新的测量系统给计量工作带来了困扰,主要原因是测量系统组成更加复杂,测量技术考虑失配因素,测量模型技术保密等。论文提出一种全新的整体校准方案,建立了校准模型,通过实际案例分析证实基本解决了该校准难题。     

单片电路晶体管模型参数提取专用 TRL 校准件磁

为了满足 GaAs 微波单片晶体管模型参数精确提取需求,论文开展了在 GaAs 衬底上制作专用 TRL 校准件的研究工作,该专用校准件在设计过程中,综合考虑了介质材料、测量端口探针至微带线过渡等要素,使校准后在片 S 参数测量的参考平面更加接近晶体管管芯,从而获得了微波单片晶体管真正管芯模型参数。为了对校准效果进行验证,制作了在片无源检验件,通过测量结果与电磁场仿真数值的对比,证实了该专用校准件满足模型参数提取的测量要求。     

微波器件噪声参数的测量方法

作为微波低噪声器件研制和应用的一项关键技术,噪声参数的测量工作引起行业的广泛关注。论述了噪声参数测量原理,研究了测量系统校准方法,分析了噪声源的反射系数、噪声温度,阻抗调配器的反射系数、S参数、增益,接收机的反射系数、噪声功率等20余项物理量对噪声参数测量的影响,对比了直接冷源法和简化冷源法在接收机传输增益测量中的优缺点,提出了改进型冷源法。最后给出了噪声参数测量不确定度主要影响量的归类分析,为下一步开展噪声参数不确定度评定工作奠定了基础。     

单片电路晶体管模型参数提取专用TRL校准件

为了满足GaAs微波单片晶体管模型参数精确提取需求,论文开展了在GaAs衬底上制作专用TRL校准件的研究工作,该专用校准件在设计过程中,综合考虑了介质材料、测量端口探针至微带线过渡等要素,使校准后在片S参数测量的参考平面更加接近晶体管管芯,从而获得了微波单片晶体管真正管芯模型参数。为了对校准效果进行验证,制作了在片无源检验件,通过测量结果与电磁场仿真数值的对比,证实了该专用校准件满足模型参数提取的测量要求。