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1.
<正> 一、引言 硅压力传感器已被广泛用于汽车、控制及生物测量等领域。由于工艺难度大,压力传感器的应变膜尺寸通常大于1×1mm。膜主要用各向异性腐蚀技术形成,需从硅片背面减薄,这样就需要双面光刻。为提高精度,必须增加特殊设备。而这一工艺有明显的不足,与IC工艺兼容性差,硅片利用率低,对制造大规模集成压力传感器,高密度的压力传感器阵列有一定困难。  相似文献   
2.
本文研究了多晶硅应变膜压力传感器制作技术,提出了防止多晶硅应变膜变形的工艺条件,研制出了多晶硅应变膜压力传感器。这一技术简单、与IC工艺较为兼容,适合研制集成压力传感器。  相似文献   
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