60GHz平衡式单片低噪声放大器

与单端结构相比平衡式放大器具有更好的输入、输出回波损耗,更低的噪声系数,同时1dB压缩点提高3dB,IM3提高6dB,动态范围增加一倍。本文中,每一个单端放大器采用四级级联的方式以在宽频带范围内获得高增益。在59~64GHz范围内,平衡式放大器的小信号增益＞20dB;输入、输出回波损耗均＜-12dB;60GHz处,输出1dB压缩点达到10.5dBm;噪声系数的仿真结果＜3.9dB。芯片采用0.15μm GaAs pHEMT实现,面积为2.25mm×1.7mm。     

库车坳陷巴什基奇克组致密砂岩气储层成岩相分析

通过岩心观察并综合利用普通薄片、铸体薄片、阴极发光、扫描电镜和压汞等资料,对克深气田巴什基奇克组致密砂岩储层的岩石学、物性及孔隙结构特征、成岩作用、成岩矿物、所处成岩阶段和成岩演化序列等特征进行了研究。结果表明：储层经历压实、胶结、溶蚀和破裂等成岩作用,现今正处于中成岩A期。根据成岩作用类型和强度、成岩矿物及其对储层物性的影响将储层划分为压实致密、碳酸盐胶结、伊/蒙混层充填、不稳定组分溶蚀和成岩微裂缝5种成岩相。选取声波时差、电阻率、自然伽马、密度和中子等测井曲线,通过岩心薄片资料刻度测井归纳了不同成岩相的测井响应特征,由此建立了各成岩相的测井识别准则。并对克深区块各井的测井资料进行了处理,得到了各单井成岩相剖面展布特征,结合试气资料表明,成岩微裂缝相常与构造裂缝伴生因而含气性最好,而在无裂缝的叠加作用时,不稳定组分溶蚀相含气性最好,压实致密、碳酸盐胶结和伊/蒙混层充填相则对应干层。通过成岩相的深入分析是进行致密砂岩气储层综合评价和有利发育区带预测的重要方法。     

基于栅漏寄生电容效应和渐变电感的GaAs pHEMT低噪声放大器设计

基于0.5 μm GaAs pHEMT工艺设计了一款两级单端低噪声放大器单片集成电路。为了降低噪声系数,首先,使用具有高Q值的渐变电感代替普通电感;其次,利用栅漏寄生电容引入的密勒效应,使栅极匹配电感值减小。测试表明,在698-806 MHz频段,输入和输出均实现了良好的匹配,噪声系数小于0.75dB,增益高于32.7dB。输入1dB压缩点为-21.8 dBm,输入三阶交调点为-10 dBm。     

1.1 dB噪声系数的单片微波集成低噪声放大器

设计与实现了一款两级赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。考虑到实际片上无源电感的性能(低Q值),最优噪声匹配往往不能获得最好的噪声性能,相反因为输入电感的存在会增加芯片的面积。设计旨在选择合适的输入晶体管,以免除输入电感的使用,减小芯片的面积。经过优化设计,芯片尺寸为0.8 mm×0.8 mm。测试结果表明,放大器在3.4~3.6 GHz频段内实现了1.1 dB的噪声系数以及25.8 dB的小信号增益,带内回波损耗最大值为-16.5 dB。在回波损耗小于-10 dB的范围内,电路带宽拓展到2.8~4.7 GHz,此时增益最小值为20 dB,噪声最大值为1.3 dB。