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主要针对工业化生产中PLC控制器运用方面的内容进行分析,是根据工作经验总结出来的关于设备选型及设备运行中的故障处理等方面问题的心得体会。将这些经验总结出来,与大家一起研究,共同提高。 相似文献
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基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管.通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真模拟.在4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC工艺平台制备了6.5 kV SiC光控晶闸管,并对器件性能进行了测试.测试结果显示,芯片击穿电压超过6.5 kV,在4 kV电源电压以及365 nm波长紫外光触发的条件下,器件导通延迟约为200 ns,脉冲峰值电流约为2.1 kA,最大导通电流变化率(di/dt)达到6.3 kA/μs,测试结果与仿真模拟结果基本一致. 相似文献
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风机叶片是大型风力发电机组的关键核心部件之一,其承受着包括自重在内的各种外力,以玻璃钢为主要材料的大型风机叶片的玻璃化转变温度是其力学稳定性的重要指标之一。通过对当前普遍采用的差示扫描量热分析法测定玻璃化转变温度建立数学模型,对叶片试样的实际升温过程的条件进行判断及设定,借助数学方法对试样各部位的物理变化中的热量变化进行计算。由计算结果分析差示扫描量热分析DSC曲线上各段变化的物理意义,指出在数学模型中选取DSC曲线上的起始点对应的温度认定为叶片的玻璃化转变温度比其他点更加准确,这可以作为读取叶片玻璃化转变温度的参考。 相似文献
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基于熵权的逼近理想解排序法在核电设备质量评价中的应用分析 总被引:1,自引:0,他引:1
为更好地掌握核电站关键设备在客观性能上的质量状况,提出利用基于熵权的逼近理想解排序法(technique for order preference by similarity to ideal solution,TOPSIS)对核电设备质量进行评价.以核电厂压力容器堆芯筒节为例,验证了基于熵权的TOPSIS评价法可有效、科学、客观地评价设备的性能状况,最后剖析了该方法的特点和局限性.应用结果表明,该方法适用于评价核电站关键设备制造质量. 相似文献
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衬底减薄可以大幅提升SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的电流密度,但减薄工艺和减薄引入的激光退火工艺仍面临巨大挑战.使用不同型号的金刚砂轮模拟了SiC衬底减薄精磨过程,研究了精磨后SiC衬底的界面质量;同时,使用波长为355 nm的紫外激光器退火Ni/4H-SiC结构,分析了激光能量密度对欧姆接触的性能影响;最后,结合减薄工艺和激光退火工艺制备了厚度为100 μ,m的1200 V/15 A SiC JBS二极管.结果 表明,使用超精细砂轮精磨SiC衬底后,其表面粗糙度为1.26 nm,纵向损伤层厚度约为60 nm;当激光能量密度为1.8 J/cm2时,能形成良好的欧姆接触,比接触电阻率为7.42×10-5 Ω·cm2;厚度减薄至100 μ.m的1200 V/15 A SiC JBS二极管在不损失阻断性能的情况下,其正向导通压降比未减薄的减小了0.15V,电流密度提升了41.27%. 相似文献
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提出采用五区多重场限环FRM-FLRs(five-region multistep field limiting rings)终端设计并流片,研制10 kV P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管SiC IGBT(silicon carbide insulated gate bipolar transistor)终端。通过Silvaco TCAD软件仿真,对比研究传统等间距场限环ES-FLRs(equally spaced field limiting rings)终端和五区多重场限环终端对器件击穿特性的影响。仿真结果表明,五区多重场限环终端具有更均衡的近表面电场分布,减缓电场集中,优化空间电荷区横向扩展,且击穿电压可达到14.5 kV,而等间距场限环终端击穿电压仅为7.5 kV。同时,分别对五区多重场限环终端,以及采用此终端结构的P沟道SiC IGBT进行流片验证。测试结果表明,五区多重场限环终端可以实现12.2 kV的击穿电压;P沟道SiC IGBT的击穿电压达到10 kV时,漏电流小于300 nA,并且栅源电压为-20 V,集电极正向电流为-10 A时,器件的正向导通压降为-8 V。 相似文献
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