激光退火硅晶圆温度场分布的数值模拟研究

目前,激光退火技术被广泛应用于半导体加工领域,但对如何选择激光条件进行相应的退火并没有系统清晰的准则可以参考,尤其是在硅的深注入杂质激活方面。本文通过对激光照射在硅晶圆上形成的温度场分布进行数值模拟研究,分析了激光波长和脉冲宽度对加热深度以及晶圆背面温度的影响。结果表明,延长激光波长或脉冲宽度,都有助于增加激光退火的加热深度。而对于特定的激活深度需求,存在着最优的激光波长和脉冲宽度组合,可以使退火所需要的激光脉冲能量最低,硅晶圆背面的温升最小。本文通过模拟仿真给出了激活深度在1～10μm范围内的最优波长和脉宽值,可为实现高效的深硅注入激光激活工艺提供重要的条件参考。     

机械零件信息管理系统中报表输出的新方法

针对ActiveXAutomation的概念、工作机制和在MS_Word2000中的对象层次结构,提出了用VB通过ActiveAutomation控制MS_Word2000输出报表的新方法;探讨了用此方法输出报表的两种途径,最后给出了产品零件信息管理系统中报表输出的成功实例.     

4H—SiC同质外延层中的扩展缺陷研究

利用自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在5.08 cm(2英寸)4°偏轴4H-SiC衬底上生长4H-SiC同质外延膜。讨论了4H-SiC同质外延层中的两种扩展缺陷——彗星缺陷和胡萝卜缺陷,研究了这两种缺陷的起源与消除方法。研究发现采用化学机械抛光(CMP)方法可以有效去除扩展缺陷,提高外延膜的质量。另外,提高衬底质量和优化生长条件也可以消除这两种扩展缺陷。     

机构放大倍数对平衡吊工作性能影响的分析与研究

通过对平衡吊机构中平面四杆机构运动轨迹的绘制及分析,引出了机构放大倍数的概念与有关计算公式;通过推导和研究,分析出机构放大倍数对平衡吊的水平移动和垂直升降都有着很大的影响,但机构放大倍数的选择,并不是越大越好;最后找到了解决平衡吊机构大范围作业和产生倒伏现象之间的矛盾的有效方法。     

机械零件信息管理系统中报表输出的新方法

针对ActiveX Automation的概念、工作机制和在MS-Word 2000中的对象层次结构,提出了用VB通过Active Automation控制MS-Word2000输出报表的新方法;探讨了用此方法输出报表的两种途径,最后给出了产品零件信息管理系统中报表输出的成功实例.     

硅晶圆中注入10 MeV磷的连续激光退火激活

基于硅(Si)中高能注入磷(P)的连续激光退火方法展开研究。采用的P离子最高注入能量为10 MeV,在Si中的注入深度可达7μm。分别采用532nm和808nm波长的连续激光退火,照射时间分别为2ms和27ms。结果显示,虽然532nm激光在Si中的穿透深度只有125μm,不到808nm激光的1/10,但由于照射时间较长,热传导起到主要作用。因此,两种退火方案都可以实现整个注入深度的有效激活。532nm连续激光退火实现了93的激活效率,808nm激光退火的激活效率接近100。