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热释光中子个人剂量计蒙特卡罗设计 总被引：1，自引：0，他引：1
随着核工业、核电及中子辐射治疗的发展,对职业工作者的中子个人剂量监测显得越为重要。利用MCNP-3B蒙特卡罗程序对反照率热释光中子个人剂量计进行了设计计算,给出了光子及中子注量响应,并对中子的场所修正因子确定方法进行介绍。模拟计算表明,对光子和中子而言,适用的能量范围分别为33 keV～1.5 MeV和热中子-10 MeV,分别对应的能量响应偏差均小于30%和60%。 相似文献
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介绍了双球型便携式中子剂量仪探头设计的计算过程,利用MCNP3B程序对双球的中子能量响应进行模拟,基于双球的中子能量响应差异,可确定一个修正因子,对H*(10)的估算值进行修正,使得中子剂量能量响应得到改善。考虑到双球的相互影响问题,对双球的间距和角响应进行了计算,并对影响的原因进行了分析。 相似文献
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利用低温分子束外延技术分别在lnGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明，两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持闪锌矿结构。利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用. 相似文献
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