多孔硅室温光致发光研究

采用电化学和化学溶蚀法在体单晶硅上制备了高孔度多孔硅;室温下测量了蓝光激发的光致可见光谱,发现样品在大气环境中保存时光致发光谱随时间有显著“蓝移”,并渐趋稳定,谱峰位置“蓝移”约40nm;文中给出了发光膜的平面透射电镜形貌和电子衍射照片。“蓝移”和电镜照片的结果能用量子尺寸效应说明。文中还给出了喇曼谱仪上测得的光致发光谱和多孔硅的喇曼位移峰。     

硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析

单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋离子,注入能量为５０ｋｅＶ,经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀,再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ,样品表面蒸上一层半透明的金膜,在正向偏压高于２５Ｖ时,可以获得波长约为４４７ｎｍ的蓝光发射,而且该蓝光发射随着电压的升高而增强．文中还将多孔β－ＳｉＣ薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较,并讨论了其发光机理     

CCD中的电荷泵效应

本文提出了一种CCD(电荷耦合器件)中的电荷泵效应。这种效应会引起FDR(浮置扩散区)的电位漂移,并带来一种特殊的电荷转移损失。当有电荷泵效应存在时,浮置扩散放大器就不是非破坏性电压读出。电荷泵效应可以用完全复位转移的办法加以消除。由此对FDR的复位深度提出了一个限制。     

注Si~＋热氧化SiO_2薄膜的蓝光发射及其退火特性

对单晶硅片上热生长的ＳｉＯ２薄膜注入Ｓｉ＋，注入能量为１２０ｋｅＶ，剂量为２e１６ｃｍ－２．在～５．０ｅＶ的光子激发下，注Ｓｉ＋氧化膜可生产～２．７ｅＶ的蓝光发射．在退火处理中，发光强度先随退火温度上升而增大，在５００～６００℃时达到最大值，此后逐渐减小．这种蓝光发射是由于注入的过剩Ｓｉ引起氧空位缺陷而产生的．     

用袖珍计算器简化铜-康铜热电偶温度求值

目前在物理研究中,有许多工作都在-200℃～+200℃的范围内进行。在这个温度范围内,铜-康铜热电偶是很理想的测温元件。然而要从热电势值求温度则需要查表,这给使用带来一些不便。本文介绍用T158C或T159袖珍计算器对铜-康铜热电偶自动校准,并且无须查表就可以从热电势值直接计算出温度值。     

脉冲激光沉积硅基二氧化硅薄膜的蓝光发射

用准分子激光在含氧气氛中对硅靶材料进行反应剥离，并让反应生成物沉积在单晶硅片表面上．用Ｘ射线光电子能谱、透射电镜分析，以及光致发光谱等方法对沉积的薄膜进行研究．结果显示，形成的薄膜是非晶态的二氧化硅组分，并且在其中含有少量的微米量级的多晶硅颗粒，在４４０ｎｍ附近的蓝光范围内有一光致发光带，初步认为它是由形成的二氧化硅中的氧空位缺陷引起的     

发光多孔硅高分辨电镜分析

高分辨率透射电子显微镜分析表明,发光多孔硅是由直径为20A左右的晶粒组成的珊瑚状多孔体。多孔硅仍保持原单晶硅衬底的晶体结构框架。     

数字式电荷耦合逻辑二位加法器的研制

本文提出了简化数字式电荷耦合逻辑(DCCL)全加器结构的实现方法。此法可使这种全加器的时钟脉冲减少到三种,而且其中的两种与普通二相电荷耦合器件(CCD)的时钟系统完全一致,这对发展CCD存储与DCCL相结合的单片式信息处理系统有重大意义。文中给出了用常规的MOS工艺制造二位加法器的设计原理与实验结果。     

硅基多孔β-SiC薄膜的电致发光及其机理分析

单晶硅中注入高剂量的C+离子,注入能量为50keV,经高温退火后形成β-SiC沉淀,再经电化学腐蚀形成多孔β-SiC,样品表面蒸上一层半透明的金膜,在正向偏压高于25V时,可以获得波长约为447nm的蓝光发射,而且该蓝光发射随着电压的升高而增强.文中还将多孔β-SiC薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较,并讨论了其发光机理.     

用微计算机测量半导体中杂质的剖面分布

半导体中杂质浓度及其剖面分布对半导体材料的特性,集成电路的生产具有至关重要的意义,在许多半导体的物理特性的研究中也是必不可少的参数.用电容电压法测量半导体中杂质浓度及剖面分布是简单方便的方法.以往的做法是用模拟电路对电容电压信号进行模拟运算以获得杂质浓度与深度的关系.本文介绍用微计算机测量半导体中杂质浓度剖面分布的方法.