抗氧剂三(壬苯基)亚磷酸酯生产工艺改进

介绍了三（壬苯基）亚磷酸酯生产工艺的改进，并对各种工艺因素的影响进行研究，找出最佳工艺条件。     

邻苯二甲酸二环己酯的生产及应用

介绍了增塑剂邻苯二甲酸二环己酯的工业化生产工艺过程和控制条件，生产结果表明，工艺稳定，产品质量达到国外同类产品质量水平，填补了国内生产空白，同时介绍了该产品在国内外的应用情况及发展前景。     

抗氧剂二硬脂酰季戊四醇二亚磷酸酯的研制

介绍了抗氧剂二硬脂酰季戊四醇二亚磷酸酯在国内外的应用情况，发展前景及应用特点。详尽描述了无酚法合成技术的工艺流程和实验过程。通过优化实验，筛选出最佳的催化剂和反应溶剂；利用正交设计，确定了物料配比与用量。试验结果表明，工艺稳定，产品纯度高，收率高。     

邻苯二甲酸二环己酯的生产及应用

介绍了增塑剂邻苯二甲酸二环己酯的工业化生产工艺过程和控制条件。生产结果表明 ,工艺稳定 ,产品质量达到国外同类产品质量水平 ,填补了国内生产空白。同时介绍了该产品在国内外的应用情况及发展前景     

8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器

文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz~10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。     

14W X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC

报道了研制的SiC衬底AIGaN/GaN HEMT微带结构微波功率MMIC,芯片工艺采用凹槽栅场板结构提高AlGaN/GaNHEMTs的微波功率特性.S参数测试结果表明AlGaN/GaN HEMTs的频率特性随器件的工作电压变化显著.研制的该2级功率MMIC在9～11GHz带内30V工作,输出功率大于10W,功率增益大于12dB,带内峰值输出功率达到14.7W,功率增益为13.7dB,功率附加效率为23%,该芯片尺寸仅为2.0mm×1.1mm.与已发表的X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC研制结果相比,本项工作在单位毫米栅宽输出功率和芯片单位面积输出功率方面具有优势.     

14W X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC

报道了研制的SiC衬底AIGaN/GaN HEMT微带结构微波功率MMIC,芯片工艺采用凹槽栅场板结构提高AlGaN/GaNHEMTs的微波功率特性.S参数测试结果表明AlGaN/GaN HEMTs的频率特性随器件的工作电压变化显著.研制的该2级功率MMIC在9～11GHz带内30V工作,输出功率大于10W,功率增益大于12dB,带内峰值输出功率达到14.7W,功率增益为13.7dB,功率附加效率为23%,该芯片尺寸仅为2.0mm×1.1mm.与已发表的X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC研制结果相比,本项工作在单位毫米栅宽输出功率和芯片单位面积输出功率方面具有优势.