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光刻胶的大面积灰化是TFT工艺的核心工艺之一,本文研究了在增强型电容耦合射频放电模式下,SF6比例对光刻胶灰化率的影响,并建立表面反应模型对此进行解释.研究表明,纯O2气体中加入少量SF6,能够有效提高等离子中氧原子浓度和活化光刻胶的生成量,增大光刻胶灰化率.当SF6比例过高时,氟原子与氧原子形成化学吸附位竞争将导致光刻胶灰化率降低,而粒子间碰撞的加剧与溅射产率的下降使这一趋势愈加明显. 相似文献
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CL2+SF6混合气体对Si和SiNx的离子刻蚀研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用统计实验方法研究了利用SF6 Cl2混合气体产生的等离子体进行Si和SiNx的反应离子刻蚀技术。在相同的输出功率和压力的条件下,将Si和SiNx的刻蚀速率和选择比表示为SF6百分比含量的函数。文中讨论了SF6含量的变化对刻蚀速率、选择比和坡度角的影响及刻蚀机理,证实了即使是SF6含量的少量改变也会对Si和SiNx的刻蚀速率、选择比和坡度角有重要的影响。并通过光谱分析来深层次地讨论刻蚀速率受SF6含量影响的原因。 相似文献
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