NBR／EPDM的增容共混研究

本文采用第三组份增容途径,改善了NBR/EPDM并用胶的相容性、加工性和力学性能。通过对不同增容体系的研究对比,发现不同增容剂的增容效果差异很大,其巾以EVA-14增容效果最为显著,加入该增容剂的并用胶,在适当的工艺条件及硫化体系下,可获得最佳力学性能。本文还研究了不同增容剂对并用炭黑胶各种性能的影响,可以做到在不降低并用胶的力学性能的同时,提高并用胶的耐热空气老化、耐大气老化和耐臭氧老化性能.透射电镜实验和动态力学谱图证明了加与未加增容剂时,NBR/EPDM并用胶均为两相结构,增容剂起表面活性剂的作用,加强了两相界面间的相互作用,使分散相EPDM细微化和均匀化。     

193nm光刻胶的研制

从主体树脂的结构设计、单体的合成工艺、主体树脂的合成工艺、光致产酸剂的评价、配方研究等多个方面论述了193nm光刻胶的研制工艺，合成出了多种适用的单体及多种结构的主体树脂，进行了大量的配方研究，筛选出了最佳配方．研制出的样品经美国SEMATECH实验室应用评价其最佳分辨率为0．1μm，最小曝光量为26mJ／cm^2，不但具有优异的分辨率和光敏性，而且还具有良好的粘附性和抗干法腐蚀性．     

我国光刻胶的市场现状及发展趋势

现代微电子技术按照摩尔定律在不断发展．光刻技术也经历了从G线（436nm）,I线（365nm）,到深紫外248nm．及目前的193nm光刻的发展历程．相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生．光刻胶中的关键组分,如成膜树脂、感光剂、添加剂也随之发生变化．使光刻胶的综合性能能更好地满足集成工艺制程要求。目前集成电路制作中使用的主要光刻胶见表1。     

我国电子化学品“十一五”发展方向（一）

综述了"十五"期间我国为集成电路、印刷电路板和平板显示产业配套的电子化学品的现状,以及这3个领域在"十一五"期间的发展趋势和发展重点,并对产业政策提出了建议。"十五"期间我国电子化学品的年均增长率超过了20%,预计到2010年,我国的电子化学品市场规模将超过200亿元。     

193 nm浸没式光刻材料的研究进展

介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战.在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述.并对顶部涂料存在的问题进行了阐述.对光刻胶材料中涉及的产酸剂、主体树脂及光刻胶应用方面进行了综述,并重点描述了无须顶部涂层的光刻胶,最后对193 nm浸没式光刻材料发展趋势作了展望.     

ULSI用193nm光刻胶的研究进展

从193nm光刻胶的各个组分,如:主体树脂、光致产酸剂、溶解抑制剂、碱性添加剂以及存在的问题和解决途径等多个方面综述了193nm深紫外光刻胶的发展与现状。     

多相聚合物共混体系增容剂的研究与发展

本文综述了多相聚合物混体系增容剂的研究与发展，介绍了各类增容剂的特点及应用，依据其加入共混体系的方法和与其共混组分间的作用进行了分类。     

我国电子化学品“十一五”发展方向（二）

(上接本刊第19期) 1.2 为印刷电路板配套的电子化学品的发展现状 据统计,印刷电路板(PCB)产值和销售额均占世界电子元件总产值和总销售额的16%,为电子元件工业中最大产业.     

顶板风化基岩含水层富水特征与涌(突)水危险性预测

为了解决柠条塔煤矿2~(-2)煤层顶部普遍发育的风化基岩含水层突水危险性评价难题,在分析其风化基岩发育特征的基础上,深入挖掘地质及水文地质资料,提出了能够考虑风化程度的富水性评价指标体系,包括风化影响指数、含水层厚度、渗透系数、脆塑岩厚度比、单位涌水量和岩芯采取率,并以此为依托对风化基岩含水层进行了富水性评价。以更加精确地预测顶板导水裂隙带发育高度为目标,将实测数据用于对经验公式的校正中,得出了符合研究区实际情况的导水裂隙带发育高度计算公式。根据导水裂隙带高度计算结果对顶板冒裂安全性进行分区,结合富水性评价结果,对煤层顶板风化基岩裂隙含水层突水危险性进行了预测评价。     

光刻胶的发展及应用

主要介绍了国内外光刻胶的发展历程及应用情况,分析了国内外光刻胶市场状况及未来走向,并在此基础上阐述了我国光刻胶今后的研发重点及未来的发展方向。