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半刚电缆组件焊接工艺优化研究 总被引:1,自引:1,他引:0
针对目前电缆组件中常用的半刚电缆组件焊接问题进行了对比分析研究,针对使用过程中经常出现电缆组件开裂、脱落及电性能达不到指标要求等问题,通过多次焊接试验,自行研制的焊接夹具满足设计指标要求.与传统焊接工艺方法比较,使用此种焊接方法可将半刚电缆组件的电压驻波比(VSWR)平均由原来的1.5提高到1.3;成品焊接合格率由原来的60%提高到90%以上. 相似文献
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采用Ge/Ni/TiWN/Au多层金属化结构与n-GaAs的固-固相反应来获得理想的欧姆接触性能。经600℃热处理或获得7.3×10^-^7Ω.cm的最小接触电阻率,俄歇能谱分析表明TiWN与Au之间,以及它们与GaAs界面之间的互扩散较小,具有良好的热稳定性。 相似文献
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本文报道了一种采用串、并联FETs结构的GaAsMMIC单刀双掷开关。芯片尺寸为0.97*1.23mm.在DC-10GHZ频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于32dB,反射损耗大于12dB,并关时间小于1ns,在5GHZ下的功率处理能力大于20dBm。此开关具有极低的直流功率耗散。 相似文献
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