新型4T SRAM的读辅助电路设计

SoC芯片的很大一部分面积被存储器占据,而静态随机存储器SRAM为主要部分,因此高密度的SRAM研究引起更多重视。随着半导体工艺的不断发展,SRAM存储器的读写性能愈发重要。研究和分析了两种高密度、低功耗、高速的SRAM读辅助电路,即降低字线电压电路和增大供电电压电路。针对存储密度提升的4T SRAM,通过使用读辅助电路,增强了数据读取的稳定性,同时可以保证SRAM的数据写能力。在55 nm CMOS工艺条件下,相对传统6T SRAM,4T存储单元的面积减小20%。仿真结果表明,通过在外围电路中设计辅助电路,4T SRAM的读稳定性改善了134%。     

MCM芯片互连技术

介绍了目前最为先进的 MCM(Multi-Chip Module多芯片模块 )技术 ,通过与传统封装技术的对比 ,介绍了 MCM技术的特点。重点讨论了 MCM技术最为关键的芯片互连技术     

倒装焊凸点材料及焊盘金属化

详细讨论了各种材料形成的凸点和基板焊盘金属化方法的长处和不足。     

用于软件维护阶段的实现方案

用户工作要求的改变，会对所使用的软件提出新需求，因此软件维护不仅仅是纠正原设计中的错误，还要对用户提出的新功能和性能进行修改或再开发，本文提供了几种用于软件维护的实现方案。     

可重用IP的低功耗设计技术

介绍了可重用IP的低功耗设计方法,在SoC设计过程中,降低可重用IP的功耗会使整个SoC的功耗设计与分析简便和快捷。     

三维封装叠层技术

三维封装技术是一种符合电子系统轻重量,小体积,高性能,低功耗的发展趋势的先进的封装技术,本文对三维封装技术进行了简要介绍,重点介绍了三维封装的叠层工艺和互连技术,阐述了三维封装技术的优点,。简要分析了三维封装技术所面临的问题。