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1.
2英寸GaAs快速热退火技术研究
张绛红
宋马成
郝景辰
廉亚光
《微纳电子技术》
1996,(1)
为配合2000门GaAs超高速门阵列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究。做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。
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