新型半导体材料BaSi_2的研究进展

正交相BaSi2是一种新型高效的环境友好半导体材料,在光电、热电方面有着极为广阔的应用前景.详细介绍了正交相BaSi2的结构、光电性质、热电性质及其制备技术,并对目前存在的问题及未来的研究动向作了简要讨论.     

利用选择性催化还原脱硝技术提高静电除尘器除尘效率的可行性分析

介绍了脱硝系统的工作原理，分析了脱硝系统对锅炉设备和静电除尘器除尘效率的影响，论述了利用选择性催化还原脱硝技术提高静电除尘器除尘效率的可行性。在选用选择性催化还原脱硝技术进行脱硝过程中，逃逸的NH3和SO2催化转化生成的SO3对降低粉尘的比电阻、提高粉尘的黏附性具有一定的益处，理论上可提高静电除尘器的除尘效率。     

正交相BaSi_2粉晶X射线衍射谱的计算

由正交相BaSi2晶胞原子的分数坐标和散射因子计算出其粉晶X射线衍射谱,结果与PDF卡片的数据相当一致。该计算方法既可用于新材料PDF卡片的计算,也可用于校验实验方法得到的PDF卡片的可靠性。     

BaSi_2晶体结构及X射线衍射谱的研究

基于汤姆逊弹性散射理论导出了计算衍射峰强度的具体表达式,计算并得到了BaSi2粉晶的X射线衍射谱图,研究了影响粉晶X射线衍射谱线位置、强度和形状的因素。给出了校验及修正粉晶衍射谱图的可靠方法。     

Ba_3Si_4的制备及电子结构的研究

采用磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了Ba单层膜,研究了退火温度对Ba-Si化合物生成的影响。X射线衍射表明,在真空中退火12h后出现了Ba3Si4(202)和Ba3Si4(221)衍射峰,表现出择优取向,700℃是理想的退火温度。采用第一性原理对Ba3Si4的能带结构和态密度进行了计算,结果表明它是一种金属,价带主要是由Si的3s、3p及Ba的5p、6s态电子构成,导带主要由Ba的5d及Si的3p态电子构成。     

正交相BaSi_2薄膜的制备及结晶研究

室温下采用磁控溅射的方法在p-Si(111)衬底上沉积Ba膜,然后置入高真空退火炉中在400~850℃退火12h生成Ba的硅化物薄膜,对退火后的Ba-Si化合物进行了晶体结构、表面形貌、透射光谱及电学性质的测试分析,研究了退火温度对薄膜结晶的影响。实验结果表明,退火温度对生成Ba-Si化合物及薄膜的表面形貌影响很大,随着退火温度从400℃升高到800℃,薄膜的结晶情况逐渐改善,晶粒随着温度的升高逐渐增大;800℃对于生成多晶的BaSi2薄膜是一个比较理想的退火温度;850℃生成了多相共生的硅化物薄膜。     

三维可视化智能巡检系统在环保岛中的研究与应用

文中主要叙述了三维可视化智能巡检系统在环保岛中的应用,分别从三维可视化智能巡检系统的主要技术、前沿科技、功能定位等方面展开讨论,分析了满足巡检业务功能需求的三维可视化智能巡检平台。同时,文中对环保岛内的所有设备设施进行了模型化处理,并在系统中进行可视化展现,以便巡检人员在线上通过远程的方式对所有巡检点进行数据监测。