γ-Fe2O3及其复合物磁粉的研究进展

本文介绍了为制备均匀分布的不同形状γ-Fe2O3磁粉在方法上的改进和为提高其磁性能而进行的改性;以及近年来γ-Fe2O3超微粉及其复合粉体在制备方法上的新进展和优良性能;并对改性和包覆机理作了简要介绍。     

固相法合成Ag(Nb0.8Ta0.2)O3的研究

以不同固相合成工艺制备了Ag（Nb0．8Ta0．2）O3粉末，并对其压片烧结后样品的XRD和SEM图进行了分析，对成瓷性较好的样品的介电性能进行了测试．结果表明：不同工艺均可合成具有钙钛矿结构的Ag（Nb0.8Ta0．2）O3（ANT）样品，但对样品成瓷性影响很大．通过先将Nb2O5、Ta2O5在1200℃煅烧，然后再同Ag2O反应生成Ag（Nb0．8Ta0．2）O3的合成工艺，在较低的烧结温度下，就可烧制成粒径均匀、致密的陶瓷，相比其他工艺合成的样品，其介电常数（ε）得到了提高，介电损耗（tanδ）变小，为最佳合成工艺．     

钽铌酸银钠陶瓷粉体的液相合成

对液相法合成钽铌酸银钠的纳米粉体进行了研究。实验表明 ,利用自制 Nb5+和 Ta5+柠檬酸盐溶液 ,在一定条件下成功地制备出具有单一物相的钽铌酸银钠粉体。该粉体颗粒细小均匀 ,颗粒尺寸为在 30～ 4 0 nm。以此粉体制备的陶瓷介质具有优良的介电性能 ,1MHz下介电常数高达 5 2 0 ,介电损耗约为 9.0× 10 - 4。     

纳米ZnFe2O4的制备及研究

以Fe2(SO4)3、ZnSO4·7H2O为主要原料通过水热合成法制得了纳米ZnFe2O4超细粉末,利用X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、红外光谱(IR)和VBH-55样品磁强计(VSM)等手段对样品进行了表征,结果表明水热法制备的纳米ZnFe2O4颗粒,大小均匀(7～10 nm),无团聚;磁性能测试表明该纳米ZnFe2O4具有亚铁磁性,并对其机理进行了探讨.     

复合钙钛矿型介质陶瓷材料的研究进展

将复合钙钛矿型介质陶瓷材料分成铅系和无铅系两大类,分别讨论了它们的研究进展,结果表明:采用高活性原料及两步固相合成法、湿化学等方法制备铅系复合钙钛矿材料,可以有效抑制铅挥发及杂相的出现,得到单相钙钛矿相;无铅型复合钙钛矿材料性能主要由不同的A或B位离子复合决定,并通过采用湿化学方法得到改善。目前,纳米级钙钛矿陶瓷材料的制备和研究正引起越来越多人的兴趣。     

拆解芯片的可重用性研究

对实验室自主研发的电路板无损拆解机拆解所得芯片的可重用性进行了分析研究.研究表明.潮气是导致拆解过程中芯片分层的主要因素;芯片分层问题可以通过电路板充分干燥后再进行拆解得到解决;破坏性物理分析(DPA)表明,正常使用4～5年的芯片内部没有出现明显的蠕变、腐蚀等可能导致芯片潜在失效的因素,拆解芯片具有较高的可重用价值.     

Sb2O5和Bi2O3添加剂对Ag(Nb1-xTax)O3陶瓷结构、形貌和性能的影响

研究了Sb2O5和Bi2O3添加剂对Ag(Nb1-xTax)O3陶瓷材料的结构、形貌和介电性能的影响.结果表明:当Sb2O5和Bi2O3的质量分数较少(＜2.5%)时,不会影响Ag(Nb1-xTax)O3的钙钛矿结构,但能促进其烧结,使所得陶瓷样品更均匀致密.添加适量的Sb2O5和Bi2O3均可使Ag(Nb1-xTax)O3的介电常数(ε)增大,介电损耗(tgδ)减小,介电性能的温度稳定性得到改善.Bi2O3较Sb2O5对降低Ag(Nb1-xTax)O3陶瓷损耗及改善温度稳定性的效果更佳.     

高介电陶瓷Ag0.9A0.1(Nb0.8Ta0.2)O3(A=Li,Na,K)的研究

采用传统的固相合成法制备了Ag（Nb0.8Ta0.2）O3（ANT）和Ag0.9A0.1（Nb0.8Ta0.2）O3（A=Li,Na,K）样品,并通过X射线衍射,扫描电镜和Raman光谱等手段对样品进行了表征。研究了Li^＋,Na^＋,K^＋取代Ag（Nb0.8Ta0.2）O3中的少量Ag^＋（摩尔比10％）对其介电性能的影响。结果表明：由于Li^＋,K^＋与Ag^＋半径差较大,它们的取代样品中出现了钙钛矿相以外的杂相峰,与未取代样品（ANT）相比介电常数（ε）和介电损耗（tgδ）变大;Na^＋取代样品的X射线衍射谱中只呈现单一的钙钛矿相特征峰．其ε,tgδ较未经取代样品（ANT）的值略有减小。