数码影像浪潮的启示

1981年索尼率先开发了磁录照相机,1991年柯达推出了世界第一台商用数码照相机,1995年卡西欧制造了首台民用数码照相机.五六年前,面对令人困惑的数码照相机这个"另类",很难想象会出现如今这样红红火火劲头十足的数码热销局面.     

荧荧烛光寄哀思听唱片《美国安魂曲》

最近,收到一张拿索斯寄来的美国R R(Reference Recording)公司的唱片:《美国安魂曲》(An AmericanRequiem)。唱片封套蓝色的背景上是几只光焰摇曳的蜡烛,传达出一种深切而动人的哀思。《美国安魂曲》?印象中好像从没有听说过这曲     

深化灌区水资源管理体制改革的措施

针对灌区发展存在的问题，提出引进现代企业管理理念，理顺管理体制，深化水价和人事劳动分配制度改革，鼓励用水户参与灌溉管理，发展灌区信息化系统等措施，使灌区发展步入良性运行轨道，发挥灌区的综合效益。     

中日标准光电高温计国际比对

介绍并讨论了1999年中国计量科学研究院(NIM)和日本计量研究所(NRLM),在NRLM用光电高温计在高温黑体炉上进行的高温温标的国际比对.比对结果,显示两国温标的一致性,从1000℃～2200℃优于±1℃.     

The Role of Metastable Atoms in a Homogeneous Atmospheric Pressure Barrier Discharge in Helium

A one-dimensional fluid model for homogeneous atmospheric pressure barrier discharges in helium is presented by considering elementary processes of excitation and ionization including a metastable atom effect. Using this model we investigate the behaviours of the helium metastable atoms in discharges as well as their influence on the discharge characteristics. It is shown that the metastable atoms with a relatively high concentration during the discharge are mainly produced in the active phase of the discharge and dissolved in the off phase. It is also found that the metastable atom collisions can not only provide seed electrons for discharges but also influence the concentration of ions. A reduction of matestable atom density results in a drop in the charged particle densities and causes a qualitative change in the discharge patterns.     

再谈“数码”和“传统”——与《针孔摄影与皮影戏的启示》一文的相左看法

数码相机作为一个新生事物进入市场要经过用户的审视和考验以至一些磨难及误解 ,几年功夫的磨炼 ,数码相机至今可以说已经得到广大用户的认可。当然也有一些不同的看法 ,近见《影像材料》杂志第四期刊登了一篇《针孔摄影与皮影戏的启示》文章 (以下引用时筒称《针》文 ) ,发表了不少具有“挑战性”的看法 ,全文似乎对“数码”存有太多的偏激和成见。从 1998年起到现在的五年后 ,在广大摄影爱好者对数码基本认知的环境下 ,《针》文的观点未免让人诧异 ,笔者愿意参与表达自己的一些不同看法。●《针》文基本观点是 1998年出现的对“数码”有成…     

常压MOCVD制备MgO薄膜的研究

本文首次报道用常压金属有机化学气相沉积（ＡＰ－ＭＯＣＶＤ）在Ｓｉ（１００），ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上外延高质量的ＭｇＯ薄膜。研究了衬底温度与薄膜的取向性关系和ＭｇＯ薄膜的潮解特性。高纯ｍａｇｎｅｓｉｕｍａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ［ｂｉｓ（２，４－ｐｅｎｔａｎｅｔａｎｅ－ｄｉｏｎｏ）ｍａｇｎｅｓｉｕｍ］［Ｍｇ（ＣＨ２ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）２］作为金属有机源，扫描电镜（ＳＥＭ），透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ－ＲＡＹ衍射实验显示，在较低的衬底温度（～４８０℃）下一次淀积成单晶膜。薄膜均匀，致密，结晶性和取向性很好，衬底温度（Ｔｓ）在４００℃到６８０℃之间，在Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜都具有［１００］取向，在Ｓｉ（１００）、ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜也都具有［１００］取向。