光致折变晶体中相位光栅的相位移动的物理作用

在光致折变晶体(如SBN,BaTiO_3等)中发生两波混频及能量耦合是由于晶体干涉场内产生了相对于干涉场有相位移动的折射率光栅(相位光栅),这已被实验和理论证实。如果仅有两波混频产生的相位光栅,而此光栅相对于干涉场并无相位移动,或相位移动量较小(不足π/2),此时不会发生波能量耦合或耦合极微弱。1981年A.Yariv用耦合波方程从数学上解决了这个问题。     

光致折射晶体Ce-SBN的双光束耦合、放大的特性

本文报道了考虑吸收后的光致折射晶体Ce-SBN中双光束耦台方程的数值解;并与实验作了比较.推算了在Ce-SBN晶体中钡含量在 0.25或 0.75二端值时晶体将有最佳光致折射效应.     

掺铈(Ce)铌酸锶钡(Ba_xSr_(1-x)Nb_2O_6)单晶中双光束耦合、放大的研究

报道从同一激光器出射的两束光在Ce-SBN单晶中相交耦合后一波被另一波放大的实验,并进行了初步的理论分析。从耦合强度对光束在晶体中交角的关系算出Ce-SBN单晶中截流子浓度为4.5×10~(16)/cm~3(室温下);从光耦合时能量的流动方向确定载流子带电的符号为正。比较了不同偏振态、不同波长、不同掺杂量及不同光强比时的耦合情况。