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1.
本文对金属Cr淀积在GaAs(100)清洁表面后引起的界面反应及电子性质的变化作了较详细的研究.我们给出了具体的模型描述初始界面的突发反应过程,分析了突发反应的起因,并认为初始As的析出是造成界面突发反应的一个重要因素.实验结果表明:随着覆盖度θ的增大,Cr2p结合能不断趋向纯金属的结合能,即向较高的结合能方向移动;同时峰形愈来愈对称,即拖尾效应减弱,这与Cr/Si界面Cr的变化规律极其相似,而与通常的过渡金属(TM)在TM/Si界面及 TM/GaAs界面的变化规律不同,显示出Cr特有的变化规律.随着退火温度的升高,Cr/CaAs界面的反应加剧;由于 Cr的内扩散加强,在界面处形成 CrAs,阻挡了As的外扩散,而界面余留的Ga原子随着温度升高外扩散有所增强.  相似文献   
2.
利用二次离子质谱(SIMS)深能级瞬态谱(DLTS)研究了TiN/n-GaAs体系。SIMS结果表明,退火后Ti的浓度剖面向胂化镓衬底略有移动,N则基本救济为;DLTS观察到的Ec=0.21eV处的Ti^3+*3d)/Ti^3+(3d^2)单受主中心,但其浓度较EL2要小得多。根据实验结果,探讨了退火后难熔金属氮化物/n-GsAs体系电学特性改善的原因。  相似文献   
3.
4.
Si/Co/GaAs体系中界面反应的竞争机制   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文采用AES、XRD和TEM等技术对Si/Co/GaAs三层结构的界面反应作了较详细的研究。结果表明:Si/Co与Co/GaAs两界面的反应具有一定的相似性,即当退火温度低于300℃时,两界面都保持完整;当退火温度高于400℃时,两界面都发生了化学反应,并形成相应的化合相。由于两界面的初始反应条件相近,因而界面反应存在着竞争机制,通过进一步的实验,结果表明;Si/Co界面的反应速度要比Co/GaAs的快,从而为在GaAs衬底上形成CoSi_2/GaAs金半接触提供了有利条件。  相似文献   
5.
本文选用了Co/Si/GaAs结构作为研究对象,经600℃恒温退火及800℃快速退火处理后,分别在GaAs衬底上形成Cosi2/GaAsSchottky接触.采用多种薄膜和界面的测试技术,对CoSi2:/GaAs的薄膜及界面特性进行了细致的研究.结果表明:热退大处理后,Co/Si经化学反应形成了较均匀的CoSi2单相,其薄膜电阻率约为30μΩcm.即使经900℃的快速返火处理后,GaAs界面仍保持相当的完整性,同时薄膜形貌也很理想.此外,采用I-V电学测试法对经750℃恒温退火处理后形成的CoSi2/Ga  相似文献   
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