排序方式: 共有12条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
多芯片MMICC波段T/R组件 总被引:1,自引:0,他引:1
钱万成 《固体电子学研究与进展》1995,(2)
多芯片MMICC波段T/R组件钱万成(南京电子器件研究所,210016)Multi-MMICC-BandT/RModules¥QianWancheng(NanjingElectronicDevicesInstitute,210016)研制的C波段固态... 相似文献
8.
钱万成 《固体电子学研究与进展》1990,(4)
<正>为适应国内市场对小型卫星通讯地面站的需求,已研制出地面站发射分系统所需之10W固态功率放大器.该放大器由前置级、推动级和输出级三组放大器构成.总计为八级放大,使用了11只GaAs MESFET.输出级放大器使用线性输出功率为36dBm内匹配GaAs MES FET.完整的放大器还包括供电电路、增益控制电路、功率指示电路等. 相似文献
9.
钱万成 《固体电子学研究与进展》1985,(2)
本文从低噪声FET放大器的实际设计出发,分析了输入匹配电路对噪声性能的影响.从放大器的实际结构讨论了影响放大器噪声性能的因素.使用南京固体器件研究所研制的WC61GaAs MESFET,在3.7~4.2GHz下,得到的结果为:两级放大器增益28dB,三级放大器增益40dB,带内噪声温度小于80K,最小噪声温度为77K. 相似文献
10.
一、前言渗透气化法(Pervaporation,简称PV),日本人称之为浸透气化法,为具有相变化的,以热驱动蒸馏法和膜法相结合的膜分离过程,是继电渗析、微过滤、超过滤、反渗透、膜法气 相似文献