南京电子器件研究所1991年度科研成果介绍(之二)

<正> 南京电子器件研究所1991年12月23日在南京召开了科研成果鉴定会。中国电子工业总公司、机电部电科院、南京市有关部门领导以及来自全国各地的有关院校、机电部、航空航天部的厂、所的教授、专家、工程技术人员共150多人对56项科研成果进行了全面、认真的技术审定,并全部一致通过鉴定。这56项成果中,达到80年代中、后期国外同类产品先进水平的有27项;处国内领先地位的35项;填补国内空白的8项;国内先进水平的4项。现将微波半导体的部分成果介绍如下:     

南京电子器件研究所一九八七年度科研成果简介

<正> 南京电子器件研究所一九八七年度在微波半导体和光电两个专业领域又取得了一批新成果。共有四十余项分别通过了部(省)、局级和所级鉴定。十二月十六日就微波半导体专业的部分产品召开了定型鉴定会。国防科工委、电子部、南京市等上级机关领导及来自全国各地的有关院校、厂、所的教授、专家、工程技术人员共一百多人对十七项成果进行了全面、认真的技术审定,作出了高度评价。鉴定会开得圆满成功。现将微波专业的部分成果介绍如下: ●WC67型Ku波段砷化镓功率场效应晶体管 其主要参数为:在16和工8GHz下1dB增     

南京电子器件研究所研制成功微波单片组装模块

<正>南京电子器件研究所在研制成功MMIC的基础上,用多芯片微波组装技术,研制成功了四种接收机前端。 (1)C波段前端 由单片低噪声放大器、单片混频器及单片前置中频放大器组成。整个前端封装于20mm×25mm×5mm的管壳中构成小型模块。信号频率为C波段,中频为40～1000MHz,本振功率5mW,总增益大于30dB,噪声系数典型值3dB,最优值2.5dB。 (2)脉冲接收机前端 包括单片开关、单片低噪声放大器、单片混频器三部分,组装于20mm×25mm×5mm管壳中,重量为6克。工作频率为C波段,开关隔离度大于40dB,噪声系数小于8dB。 (3)前置放大器模块 该模块组装于9mm×l8mm×4mm微带管壳内,也工作于C波段,含有AGC功放,AGC范围0～18dB,输出功率P_(-1dB)分别为35,150,580mW三种,用户可根据需要组合成功率放大链。 (4)脉冲前置放大器模块 模块尺寸与(3)同,C波段性能为P_(-1dB)150,580mW。     

南京电子器件研究所一九八九年度科研成果介绍

<正>一九八九年南京电子器件研究所在科研工作中取得了丰硕的成果,已经通过鉴定的项目共41项.其中微波半导体专业34项,光电专业7项.12月19日在南京召开了部分科研成果鉴定会,对18项成果进行了专家评议鉴定.其中半导体专业15项,光电专业3项.大部分成果处于国内领先地位,部分达到目前国际先进水平.现将半导体专业的部分鉴定项目介绍如下:     

南京电子器件研究所一九八八年度科研成果介绍

<正> 南京电子器件研究所一九八八年度在微波半导体和光电两个专业领域取得了22项鉴定成果,其中部级鉴定四项,省级鉴定两项,其余为所级鉴定。现将微波半导体专业的部分项目介绍如下: WB64型GaAs电调变容二极管 该器件是根据宽带压控振荡器的需要而研制的。它采用缓变浓度分布GaAs外延材料,SiO_2钝化,平面扩散超突变结构,与通常的超突变结变容二极管相比,具有电容—电压斜率指数γ(γ=1,1.25)为常数,电容变化比大(R_(CT)=8)的特点,采用超小型金属—陶瓷同轴封装,具有寄生参数小的优点。器件主要技术指标与国外     

X波段双栅场效应晶体管上变频器

<正>上变频器在通讯系统中是一个不可缺少的部件.历来的上变频器大多采用变容二极管来制作,亦称作参量上变频器.它具有一定增益,但常常需要一个高电平本振和相当复杂的外电路结构.近年来微波砷化镓场效应晶体管获得了迅速的进展,特别是双栅场效应晶体管这     

8GHz双栅FET上变频器

本文阐述了双栅FET的变频原理。通过对南京固体器件研究所WC52型双栅FET直流特性及微波“s”参数的分析,叙述了直流工作点的选择和微波匹配电路的设计。 研制了上变频器,并已用于8GHz无人值守微波中继机中。连同前置匹配放大器获得如下性能:输出频率8059.02±20MHz,输入频率140±20MHz,本振频率为8199.02MHz,增益22dB,1dB增益压缩点输出电平+4dBm,1dB压缩点处三阶交调产物为-23dBc。     

南京电子器件研究所一九八六年度科研成果介绍

<正> 南京电子器件研究所一九八六年度有39项科研成果分别通过了部(省)、局级和所级鉴定(其中部(省)、局级鉴定13项)。来自大专院校,有关厂所的教授、专家、工程技术人员及上级领导机关代表参加了成果鉴定工作,并对提请鉴定成果的技术水平给予了高度评价。鉴定的成果涉及微波半导体和光电两个专业。现将半导体专业部分的项目介绍如下:     

南京电子器件研究所1991年度科研成果介绍(之一)

<正>南京电子器件研究所1991年度第一批科研成果共19项于4月28日通过鉴定.国防科工委、机电部等上级机关领导以及来自全国各地的有关院校、厂、所的教授、专家、工程技术人员共六十多人对成果进行了全面、认真的技术评定,作出了高度评价.现将微波半导体专业的部分成果介绍如下:     

南京电子器件研究所1993年度科研成果介绍

南京电子器件研究所１９９３年度科研成果介绍ＮＥＤＩ＇ｓＲｅｓｅａｒｃｈＦｒｕｉｔｓｉｎ１９９３南京电子器件研究所于１９９４年ｌ月８日至１０日在南京召开第４１次科研成果鉴定会。对１９９３年度完成的８７项科研成果进行专家评议、鉴定，并分别通过了设计定型和...