LPE法生长掺镁Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs高效太阳电池材料

在制取高效率GaAs太阳电池的pGa_(1-x)Al_xAs-pGaAs-nGaAs材料时,一般采用Zn作p型掺杂剂。本文讨论了以Mg代替Zn作掺杂剂与采用低温800℃外延工艺的有关问题。实验证明,Mg是比Zn更好的掺杂剂。我们进行了Ga-Al-As熔体中GaAs源溶解度、不同掺Mg量与浓度关系、不同掺Al量与x值关系的研究,并总结了pGaAs层厚度对V_(oc)、FF、I_(sc)及η的影响。认为pGaAs层浓度在1—3×10~(18)时,与之配合的最佳厚度在1—1.5μ范围,pGa_(1-x)Al_xAs厚度在0.1μ左右电池效率最高。我们用电化学C-V法作多层外延中各层浓度分布曲线,证明材料的pGa_(1-x)Al_xAs层0.1—0.2μ均匀薄层生长已获成功,p-n结特性良好。用俄歇能谱测试仪测出pGa_(1-x)Al_xAs窗口中x值有梯度变化,由此可增加光子吸收效果。用双晶衍射仪测得pGaAs-pGa_(1-x)Al_xAs异质结界面晶格失配值,证明(110)面晶格失配值比(100)面低、用掺Mg ppn结构材料已制作出1cm~2面积的太阳电池,最高效率达17％(AM1)。     

基于单片机的非接触式IC卡读卡器设计

鉴于现今非接触式IC卡应用的领域愈加广泛,为使非接触式IC卡能更为普及,本文提出了一套易于实现、成本较低,以MIFARE卡为识别对象的基于AT89C52单片机的非接触式IC卡读卡器的设计方案。首先,该方案以51单片机为控制核心构成主控模块,MFRC531专用芯片为读写模块。其次,RS485通信电路构成通信转换模块,与PC机构成管理系统;LCD显示电路和矩阵键盘电路构成人机接口模块,实现人机交互;7805稳压电路构成电源模块,提供芯片稳定直流电源。此外,该读卡器系统提供了最基础的内核,可以通过添加其他特定的外围电路应用于学校一卡通、门禁、公交等场合。最后,该方案经实际电路测试显示,能实现对MIFARE卡进行识别读写操作,并能与PC管理机形成可靠的数据库,同时降低了读卡器的设计难度和成本。     

Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池材料中少子扩散长度与太阳电池效率

本文报道了PNN和PPNN结构的Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池材料中P-GaAs有源区的少子扩散长度与电池效率之间的关系,讨论了杂质、缺陷和结深等有关因素对少子扩散长度的影响。同时对L_n与V_(oc、I_(sc)和FF等电池参数间的关系也略加讨论。研制出效率达20.1％(AM1)的太阳电池。     

门禁系统的非接触式IC卡读卡器设计

随着现今安保系统智能化趋势不断地发展,门禁系统的智能化要求也迫在眉睫。为实现门禁系统的智能化,本文提出了一套针对于门禁系统以MIFARE卡为识别对象,基于PIC16F877单片机的非接触式IC卡读卡器的设计方案。首先,该方案以PIC单片机为控制核心构成主控模块,MFRC500专用芯片为读写模块。其次,RS485通信电路构成通信转换模块,与PC机构成管理系统;LCD显示电路和矩阵键盘电路构成人机接口模块,实现人机交互;7805稳压电路构成电源模块,提供芯片稳定直流电源。最后,该方案经实际电路测试显示,能实现对MIFARE卡进行识别读写操作,对门进行开关操作,并能与PC管理机形成可靠的数据库,同时能对待通过人员进行身份核实。     

提高Ga_(1-x)Al_x As-GaAs太阳电池材料质量的若干问题探讨

本文研究了Ga(1-x)Al_xAs-GaAs材料中杂质、缺陷及生长缓冲外延层对太阳电池性能的影响观察了p-n结暗伏安特性曲线与温度的关系,从而明确了提高材料质量的方向。     

1—MeV电子辐照对AlxGa1—xAs／GaAs异质面太阳电池性能的影响

对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异抽面太阳电池经１－ＭｅＶ电子辐照前后的性能变化进行实验研究和数值拟合分析，讨论了电池性能衰退的主要原因，并提出了如何提高ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池的抗电子辐照能力的方法。     

AlGaAs/GaAs太阳电池抗辐照性能的研究(英文)

The changes of performence of AlGaAs/GaAs heteroface solar cell after 1 -MeV electron irradiation has been studied by the experimental and numerical fitting. Using an improved damped least square method, the spectral response and dark J-V characteristic of the cells are fitted according to the various theoretical formulas. From the fitting calculation, a number of materials, structural and electric parameters of the cell are obtained. The experimental data and calculated results show that the critical irradiation flux of the cell is about 2.2×1014 cm-2, the damge constant KL for the minority carrier diffusion length in n-GaAs layer due to irradiation is found to be larger than that in p-GaAs, layer, they are about 7.0×10-3 and 2.2×10-7, respectively, the degradation of the minority carrier diffusion length in p-GaAs layer and the increase in the recombination velocity at interfaec are the majar reasons for the cell performence degradation. The cell with a shallow junction has higher irradiation resistance than the one with a deep junction. Based on the studies, the method for improving the irradiation resistance of the cell is discussed.     

1－MeV电子辐照对Al_xGa_（1－x）As／GaAs异质面太阳电池性能的影响

对ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池经ｌ－ＭｅＶ电子辐照前后的性能变化进行实验研究和数值拟合分析．讨论了电池性能衰退的主要原因，并提出了如何提高ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池的抗电子辐照能力的方法．     

不确定Chua电路系统的固定时间自适应参数估计

针对具有未知参数的不确定Chua电路系统, 本文提出了一种基于Volterra积分算子的固定时间自适应参数 估计算法. 在仅有输出信号的已知的情况下, 该算法能够保证参数的估计值在一个不依赖于初始误差的固定时间内 收敛到参数的真实值. 通过在Volterra积分算子中巧妙的选取核函数, 使其满足在τ = 0和τ = t时核函数及其导数为 零, 从而能够有效消除系统初始值的影响, 同时避免了对系统输出导数的计算. 最后, 仿真结果验证了所提算法的有 效性.