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1.
共沉淀法制备Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3陶瓷的研究
总被引:3,自引:0,他引:3
顾峰
沈悦
王树棠
阮素香
《电子元件与材料》
1999,18(5):9-10
对用化学共沉淀法制备Ba (Mg1/3Ta2/3) O3 (BMT) 陶瓷及其烧结特性进行了研究。结果表明其烧结温度比用传统方法降低了180~250℃。在1 400℃时获得了致密的陶瓷,其体积密度达理论密度的96% ,晶粒排列紧密,介电特性:Q×f= 65 000 GHz,εr= 23~25,在f= 10GHz,t= - 20~+ 60℃时τf = (0~3)×10- 6℃- 1。
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