用差分离子掺杂技术制作串接式结型场效应晶体管

用通常 MOS 或者 D-MOS(双扩散 MOS)制造的串接式结构的场效应晶体管已在国内外各公司进入实用阶段,然而,串接式结型场效应晶体管尽管很早就提出来了,但花了很长时间才得以实现。其最大理由之一可能是因为串接式结型场效应晶体管制造条件超越当时半导体制造技术能力。然而,由于近年来外延技术、选择扩散技术以及光刻技术的进展,终于在国内一些公司开始实用。我们之所以着眼于串接式结型场效应晶体管,是因为它不同于以前的单栅结型场效     

行波场效应晶体管

场效应晶体管与双极晶体管相比,因其输入电阻很高,而且是多数载流子传输器件,所以具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点。但是,目前的场效应管,由于其输入、输出电容很大,截止频率较低,显示不出高输入阻抗的优点。一般,它的跨导g_m也比较小。为提高跨导g_m,则不可避免地要造成输入电容的增大。但如果把场效应管装成定K型电路或m型推演式电路,则输入、输出电容大和跨导g_m小的缺点可较容易地得到解决。这样,在场效应管本身的设计上就会自由得多,此外,由于电路比较简单,也有利于实现集成化。本文首先介绍行波场效应管电路的设计理论,并证明它与实验结果符合的较好。接着,应用此种理论,以场效应管的结构参数和材料参数为参量,在设计上,为得到尽可能高的频率上限和必要的电压增益,以偏压为函数,求出所需场效应管的最少个数。最后,简单介绍一下把上述电路集成化时的电路结构。     

敏感器件

从机械文明观点来看,如图1所示敏感器的功能不是接近于机械,而是接近于生物.为实现系统原定的最佳动作,必须进行彻底的计算和测量.因此系统化的深入必然会带来关于敏感器的研究.通过敏感器把控制机器工作的信息输入到微处理机,就能使用于有效利用资源和能量的系统按最佳方式工作.