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玻璃肋作为玻璃幕墙的支承系统可用在层高较高的大堂或共享空间区域,但由于生产和运输不便等原因需要采用多块肋板连接成一片整体。采用通用有限元软件Strand7对玻璃肋的销钉连接进行有限元分析,阐述了连接节点的受力与破坏机理,并将有限元数值分析结果与试验破坏荷载值进行对比分析;最后,分析了接触间隙大小和销孔内的弹性材料厚度对连接节点承载力设计值的影响,并给出了提高该类节点承载力设计值的建议。 相似文献
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研究了FeVO4对ZnO-Nb2O5-TiO2微波介质陶瓷的烧结特性、介电性能、相组成和微观结构的影响.研究表明添加3 ω/%~10ω/%FeVO4可使烧结温度从1200℃降低到960℃,XRD与EDS分析表明FeVO4固溶入主晶相ZnTiNb2O8,导致晶格畸变,缺陷增加,促进传质,在液相和固溶体协同作用下降低烧结温度;随FeVO4添加量的增加,Zn0.15Nb0.3Ti0.55O2相和TiO2相含量增大,介电常数εr基本不变,Q·f值由于晶体缺陷增多和晶粒尺寸不均而下降;FeVO4添加量为4 ω/%的ZnO-Nb2O5-TiO2陶瓷可在940 ℃,2 h条件下致密烧结,微波介电性能为εr=40,Q·f=10 200 GHz(3GHz),τf=-9×10-6/℃,可用于制备各种多层微波频率器件. 相似文献
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采用材料特性、器件设计及制备工艺相结合的三位一体研究模式,研究了低烧ZnO-TiO2微波陶瓷介电特性,利用高频结构仿真软件HFSS对低烧陶瓷带通滤波器微波特性进行建模,重点介绍材料介电特性对片式带通滤波器性能影响的优化仿真,采用LTCC制造工艺技术制备片式多层带通陶瓷滤波器。研究结果表明:ZnO-TiO2微波陶瓷在895~910℃烧结,陶瓷相ZnTiO3、TiO2稳定存在,具有较佳的微波介质特性,在900℃烧结3h,其介电性能:εr=27.05、Qf=19822GHz、τf=2ppm/℃,该材料与Ag电极能较好匹配。模拟仿真表明:低烧材料的相对介电常数偏差是器件设计制备中的关键要素,仿真优化结果与LTCC试验样品的测试结果吻合较好。制备出的片式多层带通滤波器适用于表面贴装技术。 相似文献
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烧结助剂对CaO-B2O3-SiO2介电陶瓷结构与性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以CaO-B203-Si02(CBS)系微波介质陶瓷为基体材料,采用ZnO和Na2O作为烧结助剂,研究了其微观结构、相组成及介电特性.研究结果表明ZnO在烧结过程中与B2O3及SiO2生成低熔点玻璃相,促进以片状集合体形式存在的CaSiO3晶相合成,显著降低了材料的致密化温度;Na2O虽可促进烧结,但会破坏硅灰石晶体结构,导致微波介电性能显著降低2%(摩尔分数)ZnO取代CaO,在1000℃保温2h,具有较好的微波介电性能εr为5.4.Q·f为22000GHz(测试频率f0为8.5GHz). 相似文献
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掺杂ZnO-B2O3低温烧结BiNbO4介质陶瓷的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了烧结助剂ZnO-B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响.结果表明ZnO-B2O3形成晶界玻璃相存在于晶粒之间,促进烧结,大幅度降低BiNbO4陶瓷的烧结温度,促使瓷体晶粒尺寸均匀和致密;但ZB的质量分数大于3%,阻碍晶粒长大,破坏晶体结构和排列,导致材料的缺陷和本征损耗增加,从而降低材料的介电性能.ZnO-B2O3的掺杂量以1%为最佳,在880℃保温4h,可达到97%理论密度,在100MHz测试频率下,εr=42,tanδ<1.5×10-3. 相似文献
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低温烧结Li1.05Nb0.55Ti0.55O3微波介质陶瓷及其器件 总被引:4,自引:4,他引:0
研究了V2O5存在状态对Li1.05Nb0 55Ti0 55O3微波陶瓷料浆特性、介电性能的影响及其烧结机理.用低温共烧技术制备片式多层高通陶瓷滤波器.结果表明配料预烧后引入质量分数为2%的V2O5,通过热处理可改变Li1.05Nb0.55Ti0.55O3陶瓷中V2O5的存在状态.LiVO3相的生成克服了单体V2O5与TiO2键合引起颗粒间的团聚而导致料浆粘度异常增大,改善料浆的特性,其降低烧结温度的效果、微波介电性能均优于预烧前和预烧后引入V2O5未热处理制备的试样.低温烧结Li1.05Nb0.55Ti0.55O3陶瓷与Ag电极能较好匹配,制备出体积为4.5 mm×3.2 mm×2.0 mm,通带为1.65~2.15 GHz,通带内损耗最大值为1.567 dB,阻带为42.7 dB(1.45 GHz),驻波比<2.0的片式多层高通滤波器.该滤波器适用于表面贴装技术,可用于移动通信、无线局域网及卫星定位系统. 相似文献
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