具有大电导动态范围和多级电导态的铁电Hf0.5Zr0.5O2栅控突触晶体管(英文)

得益于铁电材料的非易失性和快速擦写,铁电突触晶体管(FST)在神经形态计算应用中很有前景.然而,在低能耗下同时实现大电导动态范围(G_max/G_min)和多级有效电导态仍是一个挑战.在此,本文首次提出了由铁电Hf_0.5Zr_0.5O₂(HZO)栅介质结合溶液处理的氧化铟(In₂O₃)突触晶体管以解决上述问题.通过精细调控的铁电相以及对铁电体和铁电/半导体界面的电荷注入良好抑制,实现了优异的突触特性.在每个尖峰事件490 fJ的低能耗下,该FST成功模拟了高达101个有效电导状态的长时程增强/抑制(LTP/D),且具有大电导动态范围(G_max/G_min=32.2)和优异耐久性(>1000个循环).此外,模拟实现了96.5%的手写数字识别准确率,这是现有报道的FST的最高记录.这项工作为开发低成本、高性能和节能的铁电突触晶体管提供了一条新途径.     

InAs/GaAs量子点中间带太阳电池的理论研究与优化

基于InAs/GaAs量子点中间带太阳电池(QD-IBSC)结构和载流子漂移扩散理论建立了计算电流密度与静电势的数学模型,从理论上分析了量子点中间带太阳电池的电压电流特性,定量讨论了量子点层厚度、温度以及n型掺杂对电压电流特性的影响.模拟结果表明:在i层厚度取400 nm时转化效率达到最大值14.01％;温度会对量子点中间带太阳电池的电压电流特性产生影响,温度在300～350 K范围内,开路电压Voc随温度的升高而明显减小,短路电流Jsc几乎不变;对i区进行n型掺杂会抑制量子点层发挥作用.     

HfO2铁电薄膜基MFIS存储结构中的高κ介电晶籽层效应研究:铁电正交相生长和界面电荷注入抑制(英文)

HfO₂基材料铁电场效应晶体管(FeFET)商业化应用面临的一个重要挑战是其疲劳特性差.本文提出,在基于金属-铁电-绝缘层-半导体(MFIS)栅叠层结构的FeFET中研发合适的高κ界面晶籽层(SL)以大幅度提升其疲劳性能.我们在ZrO₂, HfO₂,(HfO₂)_0.75(Al₂O₃)_0.25 (HAO)和Al₂O₃等典型的高κ介电SL上制备了Hf_0.5Zr_0.5O₂ (HZO)铁电薄膜,系统研究了HZO薄膜的微观结构、铁电性及其MFIS器件的存储特性.首先,揭示了HZO薄膜中铁电正交相的形核和生长不仅受高κ介电SL表面能的影响,而且其微观结构对HZO中正交相的形成也起到重要作用.其次,澄清了高κ介电晶籽层对MFIS结构存储特性的影响,通过精确计算的MFIS结构的界面层电场,对MFIS结构的存储特性做出了合...     

一种具有GaInAsN/GaAs量子阱结构的三结太阳能电池的设计

该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对GaInAsN/GaAs量子阱太阳能电池的伏安特性进行了数值模拟和分析。初步讨论了量子阱的阱宽和垒厚的变化对量子阱电池伏安特性的影响.模拟结果发现垒厚32nm、阱宽7nm的量子阱光伏性能表现良好。作为有源区,当将该量子阱加入到GaAs子电池中,InGaP/GaAs/Ge三结电池在AM0下的短路电流密度达到19.81mA/cm2,比未使用量子阱有源区的三结电池提高了20%。     

InAs/GaAs量子点中间带太阳电池的理论研究与优化

从荧光粉散射机理分析了LED器件色角向分布不均匀的形成原因,提出了一种利用逐点步进光学设计方法,实现了不同入射角度内蓝光光程相等的远荧光粉层结构。应用该方法设计了使用不同折射率载体的LED远荧光粉层光学结构。模拟结果显示,应用所设计的光学形状的远荧光粉层结构,相比传统平面荧光粉层结构,75°方向光斑边缘与中心法线方向色差du′v′从0.05降低到0.01左右,色温偏移降低了43%~98%不等,有效改善了白光LED远程荧光粉封装结构的色度均匀性。该设计不需要增加或改变封装工艺手段,工业生产实现简单,额外成本很少,具有较强的实际应用价值。 更多还原     

分布集中式微分测深数据采集系统

根据微分测深原理及分布集中式微分测深观测系统的特点，分析了自行研制的分布集中微分测深仪的主机与多台从机的通讯，高接地电阻影响的消除、工作频率的选择依据等关键技术的解决方案以及整机的软、硬件结构，结果表明，在地球物理勘探中，该系统中的主从分布式多机通讯技术适用于双频、多频激电仪等电法仪器，具有一定的实用价值。