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本文对低温生长的垂直场MQWs光折变器件电吸收瞬态特性进行了研究,在分析垂直场MQWs器件结构后,我们认为电光层并不单独由多量子阱层构成,而是包括多量子阱层和两边低温生长的缓冲层构成,为此,我们提出了改进的阻容模型,并用这一模型很好地解释TMQWs光折变器件电吸收瞬态特性的实验结果,同时对MQWs器件性能的提高提出了建议.本文还对垂直场MQWs光折变器件的读光、写光与衍射效率关系进行了研究,给出了垂直场MQWs器件工作的最佳光强条件,并对实验现象进行了解释,指出了由于同样是读光、写光增强导致器件… 相似文献
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(111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察 总被引:3,自引:0,他引:3
利用衍衬、SAED、HRTEM对在 (111)Si上外延生长的六方GaN进行了观察分析。GaN外延层与缓冲层和基底的取向关系为 (0 0 0 1) GaN (0 0 0 1) AlN (111) Si,[112 0 ]GaN [112 0 ]AlN [110 ]Si。GaN外延层中存在倒反畴。GaN中位错以刃型位错为主。In0 1Ga0 9N GaN的多重量子阱结构 (MQW )具有阻挡穿透位错 ,降低位错密度的作用。由于在室温下具有 3 4eV的直接带隙 ,GaN已经成为制备一些光电子器件如蓝色、紫色、紫外发光二极管及激光二极管等的最佳候选材料[1,2 ] 。通常是在各种… 相似文献
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给出了河池市广播电视大楼配电系统的改造需求及方案,并就智慧电气安全管理系统的应用改造进行了分析,可为同类工程改造提供参考。 相似文献
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