DESIGN AND PERFORMANCE OF COMPACT LOW NOISE GaAs MESFET AMPLIFIERS FOR UHF OPERATION

The design considerations and experimental results of compact low noise GaAs MESFETAmplifiers for UHF operation are described in this paper.The miniaturized and optimized circuitsare obtained by means of special matching network and GAD technique.Both a two-stage unit at 700MHz and a three-stage unit at 1000 MHz are fabricated on a 50×60 mm~2 alumina substrate,andpower gain of 29 dB and 30 dB,,noise figure of 0.8 and 1.2 dB and bandwidth of 40 MHz(3dB)and100 MHz (1dB) are obtained respectively.The satellite direct broadcasting TV receiver fabricatedwith a 700 MHz GaAs MESFET amplifier has clear pictures and good sound.     

双层减反射膜的研究

我们采用电子束蒸发淀积得到了光学(折射率)匹配良好的Ta_2O_5和SiO_2体系,Ta_2O_5和SiO_2膜的折射率分别为2.15和1.45。测定了0.3—0.9μm光谱范围内Ta_2O_5单层膜的透过率和双层膜在0.4—0.9μm范围内的反射率分布。对蒸有厚度匹配良好的双层膜的硅电池,测得的平均反射率低于5％。 提出了一个以测定太阳电池在蒸发减反射膜前后的短路电流来估算平均有效反射的方法。估算结果和测定值非常近似,可用于蒸膜工艺和对膜质量的鉴定。     

频带反射型腔稳体效应振荡器的最佳耦合线长度

本文修正了文献[1]中频带反射型腔稳体效应振荡器(简称BRCO)耦合线长度的理论,所得最佳耦合线长度l_0和实验值一致。在此基础上提出了简化设计和调试步骤,并研制成频率稳定度和功率稳定度分别为5.8·10~(-6)和2.55·10~(-3)的50GHz高稳定固态源。     

小型超高频低噪声FET放大器的设计和性能

本文报道了UHF频段小型低噪声GaAs MESFET放大器的设计考虑、射频性能和试验结果。采用特殊的匹配网络和CAD技术使电路达到小型化和最佳化。设计的二级700MHz和三级1000MHz放大器均制作在50600.8mm3的陶瓷基片上。其射频性能分别为:功率增益GP为25dB(最佳29dB)和30dB,噪声系数NF低于1.1dB(最佳0.8dB)和1.2dB,带宽W约为40MHz(3dB)和100MHz(1dB)。用700MHz放大器装成的卫星直播电视接收机,接收图像清晰,伴音音质良好。