全息光栅液晶排列性质与厚度关系相关的研究

利用电子扫描显微镜和极化光学显微镜，研究了全息光栅液晶向列（LC）排列的性质和厚度之间的关系。研究发现，随着LC厚度的增加，LC排列的性质变化很大。单向的LC不是沿厚度小（d〈1．0）或大（d〉10μm）的纹沟方向，而是沿着中等厚度（1〈d〈10μm）的细微纹沟方向排列。这种厚度相关的LC排列性质可以解释为细微纹沟的物理限制效应和额外表面的浮雕脊的锚效应竞争的结果。     

太阳能级多晶硅标准的现状及发展

回顾了太阳能级多晶硅标准这一问题的由来,分析了制定太阳能级多晶硅标准中的有关杂质含量的争论,对太阳能级多晶硅标准提出了一些看法和思考:应加快以物理法多晶硅为原料制作太阳能电池技术问题的研究;解决太阳能电池的衰减、生产工艺改进及物理法多晶硅性能的稳定性问题;多晶硅标准最终应该是一个不区分生产方法的、以主要杂质含量为指标的标准.     

CdSe/SiO_2异质复杂纳米结构的可控制备

复杂纳米结构至今依然是材料领域研究的前沿。采用简单的气相合成法,通过反应温度选择和初始反应物配方设计,实现了复杂形貌CdSe/SiO2异质纳米结构的可控制备,在直径为100nm左右的一维纳米棒端部成功嫁接了直径约400nm的碗状SiO2纳米空心球。通过XRD,FESEM,HRTEM,EDS和SAED等手段分析试样的形貌、成分和晶体学特征。XRD测试表明,生成产物是CdSe和SiO2的复合材料;EDS分析进一步确认一维纳米棒和碗状空心球的化学成分分别为CdSe和SiO2;HRTEM和SAED测试表明,CdSe纳米棒是沿[0002]方向生长的单晶结构,SiO2纳米空心球为非晶结构。这种新奇的异质纳米结构可以作为未来纳米靶向药物的载体材料。     

光伏电路的PSpice仿真与实验研究

基于硅光伏电池单元的物理模型和光伏组件及光伏阵列的串并联结构,采用PSpice构建了小型硅光伏阵列的仿真模型,并利用该模型对光伏直流BUCK变换电路的开环和恒压控制闭环特性进行了仿真研究.仿真结果与实验数据对比表明,此模型能够在较高的近似程度上方便地模拟实际光伏电池的行为特性,将PSpice软件用于光伏发电系统的仿真是可行的.     

两种理论解释Aharonov—Bohm效应的对比分析

概述了Aharonov-Bohm效应,并用经典电动力学和量子力学对其进行了解释.两种理论解释的对比分析表明,经典电动力学的局限性和量子力学的严谨性、整体性及科学预见性.     

含偶氮苯弯曲液晶的光化学性质研究

研究了紫外光照和温度对偶氮弯曲液晶极化电流的影响。在365 nm紫外光照下,这种偶氮化合物的极化强度随紫外光照时间增加而变化直至为零;当温度从150^oC 升高到 175^oC时,弯曲液晶的极化电流随温度线性降低,用Landau-de Gennes理论解释了这一现象。其极化情况随紫外光照和温度而变化的实验规律表明：在紫外光照下偶氮弯曲液晶发生了光致异构化、光裂解和热裂解作用。     

退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响

通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h.于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点.     

在卓越工程师计划中大学物理应力如何与专业相结合的研究

卓越工程师教育培养计划中提出基础课程要与专业相结合的办法培养学生创新能力和逻辑思维能力,同时应用型本科大学物理教学改革的重点之一是改革教学理念,优化、调整教学体系和内容．因此我们应敢于建立创新的教育观念,科学合理地选择教学内容,同时注重与学生专业相结合培养出高质量的工程技术创新型人才。     

咔唑在Sol-Gel制备的SiO_2薄膜中的发光机理

利用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺制备了能够发射红光的含咔唑的SiO2薄膜。测量了薄膜样品的发射谱,发现当激发波长从610nm连续减小到400nm时,样品的发射波长从760nm连续蓝移到了550nm左右。将含咔唑的SiO2薄膜溶解在乙醇中,经逐步稀释后所得溶液的发光可以从绿光变到紫光。基于它们的发射谱、激发谱和吸收谱,探讨了咔唑在SiO2薄膜中发红光的机理。结果表明,咔唑分子被紧缩在SiO2薄膜内部的微孔中,因受到挤压而使其共轭尺寸变大,从而导致咔唑的发光特性发生改变。     

香蕉型液晶的电子结构计算和电激发特性

用舒克紧束缚法计算了一种新型香蕉型液晶1,3-phenylene bis [4-(4′-nonyloxy) phenyliminomethyl] benzoate 的电子结构,结果表明: LUMO和HOMO的能量差别主要是受到香蕉型液晶的中心核、桥键(-COO-)的影响,而烷基尾对香蕉型液晶电子结构的影响不大;在6种可能跃迁中,只有能量最低的两种(π→π*, n→π*)在200~800 nm可见光范围内是经常发生的.对于这种香蕉型液晶,电子激发主要发生在4.0 eV (310 nm)和 1.7 eV (730 nm)处.