射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜

采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压(133～266Pa)下,以0.4nm/s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜.薄膜的晶化率约60%,平均晶粒尺寸约6.0nm,暗电导率为10-3～104/Ω·cm.红外吸收谱显示,薄膜中没有Si-O、Si-C、Si-N等杂质键,随晶化率的提高,Si-H键也逐渐消失.     

《电磁学》课程学习网站的设计与实现

对《电磁学》课程学习网站的内容、结构和功能进行分析和设计。利用Dreamweaver MX作为开发工具,Access 2007作为后台数据库,采用ASP来实现动态数据库的交换及网页的生成,构建一个内容充实、界面友好、维护方便的学习网站。     

氢等离子体加热法晶化a-Si:H薄膜

利用氢等离子体加热晶化n^ -a-Si：H／a-Si：H薄膜．可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电子显微镜等手段进行表征和分析,研究了不同退火条件对薄膜晶化的影响。结果表明。随着射频氢等离子功率的提高、衬底温度升高和退火时间的增加,薄膜的晶化度呈现出增加趋势。     

硅基锗硅驰豫衬底的外延生长

应用低温缓冲层的方法,采用超高真空化学汽相淀积法(UHV/CVD)在硅(100)衬底上外延出应变弛豫的低位错密度的锗硅(SiGe)薄膜,分别采用利用X射线双晶衍射和拉曼光谱仪、原子力显微镜和化学腐蚀位错坑等方法,对薄膜进行分析检测.结果表明,在300 oc低温时Ge量子点缓冲层上生长的SiGe外延层厚度仅为380 nm,弛豫度已达99%,位错密度低于1×10~5 cm~(-2),表面无Cross-hatch形貌,表面且粗糙度小于2 nm.     

射频功率对微晶硅薄膜微结构和光电性能的影响

采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术,在玻璃和硅衬底上沉积微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼光谱、AFM和电导率测试对不同射频功率下沉积的薄膜的结构特性及光电性能进行分析。研究表明:随着射频功率的增加,薄膜的晶化率和沉积速率也随之增加,而当射频功率增加到一定的程度,晶化率和沉积速率反而减小。薄膜的暗电导率与晶化率的变化情况相对应。     

Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究

基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃迁发光峰位的蓝移,峰位的实验值与理论值符合得很好;当Ge量子阱宽逐渐减小到9nm和7nm时,测试得到样品的PL谱峰位却与理论预期出现了较大的差值。进一步的实验表明,这主要是由于量子阱厚度小到一定程度时,量子阱的直接带发光受到抑制,其发光主要源于Ge虚拟衬底。     

优质纳米晶硅薄膜的低温制备技术及其在太阳能电池中的应用进展

纳米晶硅薄膜是集晶体硅材料和氢化非晶硅薄膜优点于一体,可望广泛应用于薄膜太阳能电池、光存储器、发光二极管和薄膜晶体管等光电器件的一种新型功能材料.本文综述低温制备优质纳米晶硅薄膜技术的研究进展及其在薄膜硅太阳能电池上的应用.