高靶材利用率高镀膜均匀性条形溅射靶的设计与实现

针对传统条形磁控溅射靶磁场分布不理想、靶材利用率低、镀膜不均匀等不足,通过优化磁场分布,缩小条形靶端部与中部的磁场差距,增大靶材的刻蚀均匀性,增大有效镀膜区,从而提高靶材利用率和改善镀膜均匀性.本文结合模拟仿真、结构设计与工艺验证的方式,开发出一种镀膜均匀性优于3％、靶材利用率超过30％的条形磁控溅射靶.     

SiC外延炉模块化集成制造技术探索与研究

SiC外延炉是半导体行业中的一项重要设备,其主要作用是在衬底上生长出高品质、大面积、无杂质的SiC外延薄膜。简要介绍了SiC外延炉模块化集成制造技术,并通过实施模块化集成制造技术方案,解决了设备生产周期长的问题,有效地降低了制造成本。     

浅析泥浆护壁钻孔灌注桩施工方法

钻孔灌注桩是指在工程现场通过机械钻孔、钢管挤土或人力挖掘等手段在地基土中形成桩孔,并在其内放置钢筋笼、灌注混凝土而做成的桩。钻孔灌注桩现在广泛应用于公路桥梁基础工程当中。本文主要介绍了钻孔灌注桩中泥浆护壁施工方法。     

用于氮化铝陶瓷高温烧结设备的设计与验证

针对以“新基建”为代表的通信领域对高功率、高性能微波组件的需求,阐述了氮化铝陶瓷基板的优点和工艺复杂性。基于此,开发了高温烧结设备,进行氮化铝陶瓷高温烧结工艺试验,分析了烧结温度及时间、升降温速率、气体流量及炉体压强等因素对高温烧结产品性能的影响。     

环境行政公益诉讼初探

环境行政公益诉讼制度既是对传统诉讼法律制度的超越与突破,也是对环境法与行政诉讼法之间的沟通与协调。本文主要通过理论上对环境行政公益诉讼正名来论证环境行政公益诉讼的法理基础,并对环境行政公益诉讼制度的构建提出了一些粗略的想法。     

适用于器件制程的立式扩散/氧化设备设计与验证

针对半导体器件的国产化制造及工艺制程需求,设计了一款适用于200 mm(8英寸）晶圆的立式扩散/氧化设备。介绍了设备的功能特点和几个关键部分的设计要点,并对炉体系统进行了详细论述;设备设计完成后上线进行了流片试验,根据工艺验证结果,该设备满足产品工艺要求,膜厚均匀性均优于±2%。