MBE生长InGaAs／n0.32≤x≤0.52Al1—xAs MM—HEMT材料

在GaAs衬底上利用分子来外延技术生长了不同In组分的Metamorphic HEMT(简称MM—HEMT)。通过对MM—HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数、生长条件和结构参数进行优化，得到了具有良好电学性能的MM—HEMT材料，其二维电子气迁移率和浓度指标与国外同期水平相当。     

MBE生长InGaAs/In_(0.32≤x≤0.52)Al_(1-x)As MM-HEMT材料

在GaAs衬底上利用分子束外延技术生长了不同In组分的MetamorphicHEMT(简称MM-HEMT)。通过对MM-HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数、生长条件和结构参数进行优化,得到了具有良好电学性能的MM-HEMT材料,其二维电子气迁移率和浓度指标与国外同期水平相当。     

InP-HEMT中复合沟道的设计与生长

设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率。在使用In_xGa_(1-x)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As复合沟道时,当In组分等于0.7时得到较好的沟道输运性能;在使用InAs复合沟道时,得到了二维电子气浓度为2.3×10~(12)/cm~2、室温迁移率高达13600 cm~2/V·s的性能优良的HEMT材料。     

PHEM T 材料MBE 生长及其应用

我们对PHEMT材料中应变沟道InGaAs层生长条件进行了优化,并采用了LT-GaAs中缺陷扩散的阻挡层.功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.0μ时,跨导g\-m≥400 ms/mm,BV\-\{DS\}>1 5V,BV\-\{GS\}>10V表明该材料有较好的性能.作为材料的缓冲层,结果表明器件性能优良 ,是国内最好结果.