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GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线,X射线衍射以及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。 相似文献
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本文扼要介绍了场限制环、场板、等位环等终端结构对提高PN结雪崩击穿电压的原理,着重叙述采用这些技术,以三重扩散片为衬底材料来设计高反压功率晶体管时,平面终端最佳条件的选择. 相似文献
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GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本文对Si基n型GaN上的Al单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I U特性曲线 ,X射线衍射以及二次离子质谱分析 ,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响 ,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法 相似文献
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本文研究了表面处理对n-GaN上无合金化的Ti/Al电极起的作用,比较了(NH4)2Sx和CH3CSNH2两种不同的表面处理方法.在用CH3CSHN2/NH4OH溶液处理过的样品上制作的无合金化的Ti/Al电极,可得到较低的(4.85~5.65)×10-4Ω·cm2的接触电阻率,而且材料的发光特性也有明显提高. 相似文献
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