利用STM针尖诱导铜表面刻蚀人工构筑表面电化学活性位

在电极电位稍负于其Nernst电位时,较正的探针电位可以诱导铜表面的局域刻蚀,同时,利用这一诱导刻蚀可以方便地人工构筑电极表面电化学活性位或特定的纳米结构,如现场构筑坑（pit),螺旋岛（spiral island)和岛（island)等电化学活性位,并现场研究它们相关的（电）化学反应。     

现场STM针尖诱导Ag(111)表面局域刻蚀

本文报道用现场扫描隧道显微镜技术（in-situ STM)研究Ag(111）电极表面局域刻蚀。实验表明,STM针尖可以诱导有I^- 特性吸附的Ag(111)电极在其电化学稳定区发生表面局域刻蚀,刻蚀的发生与程度与针尖电位,样品电位及偏压等因素有紧密关系,刻蚀速度在偏压最小时达最大,刻蚀的发生也间接反映了电化学体系中的多重隧穿途径及其随电极电位的变化。