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1.
通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间. 相似文献
2.
一种Boost型PFC变频控制电路的简单实现方案 总被引:3,自引:3,他引:3
提出了一种Boost型功率因数校正(PFC)电路变频控制的实现方法。利用V I变换和积分电路计算功率开关管的关断时间,保证电感始终处于临界导电模式,可获得接近1的功率因数。电路中无需模拟乘法器和电流检测环路,仅用电压单环反馈控制即可。 相似文献
3.
4.
5.
在高压VDMOS器件中,保证足够高的漏源击穿电压BVPT和尽可能低的比导通电阻Ron是设计中必须同时考虑的两个相互矛盾的主极方面。对于耐压高的VDMOS,Ron主要由外延区决定。本文通过外延区为均匀掺杂的VDMOS穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ron的理论分析,首次得到了Ron随外延区参数,击穿电压变化的简捷普适关系。 相似文献
6.
The relations among the breakdown voltage,the width and the concentration of the voltage-sustaining layer for the non-punch-through(NPT) and punch-through(PT) abrupt parallel-plane junctions have been reestablished based on the ionization integral by the Chynoweth model,distinguished from the conventional results obtained by the Fulop model.The numerical calculation results indicate that the new expressions are more accurate than those in previous literature.While the breakdown voltage of the NPT case varied from 400 to 1600 V using the Chynoweth model,the value using the Fulop model is overestimated by 12%(478 V) to 18%(1895 V).For the PT case with optimum design of the specific on-resistance,when the breakdown voltage is varied from 400 to 1600 V,the width and concentration are from 81.0168%to 80.2416%and from 91.4341%to 91.6941%of those of the NPT cases,respectively.The relations between the specific on-resistance and the breakdown voltage for both the NPT and PT structures are also established.Simulation results by MEDICI show good agreement with the proposed expressions. 相似文献
7.
灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
功率器件的过流保护是提高灵巧功率集成电路可靠性的关键,采用不同的电流检测方法会有不同的误差。通过对功率MOSFET的电流检测技术的研究,对比分析了几种常用的电流感知方法,重点阐述了应用在灵巧功率集成电路中感知高压功率器件电流的SenseFET结构的工作原理,并分析了影响电流检测准确度的误差源。可以为设计高性能的电流检测过程提供参考。 相似文献
8.
9.
10.
在现代半导体工艺中有多次不同温度的扩散过程。文章分析了经历这些扩散过程后的杂质分布并且给出了一个简单的表达式。文章指出多次扩散后的杂质分布可以用一个有效扩散长度来表征并且给出了有效扩散长度和各次扩散过程的扩散长度的关系。表达式的结果同工艺仿真软件SUPREM 4符合的很好。文章还给出了如何应用表达式的例子。 相似文献