信息技术对抑郁症心理调适的模式开发创新研究——基于VR沉浸技术的应用

随着科技的不断发展,虚拟现实技术(以下简称VR技术)也在不断的创新,VR技术在当今社会被广泛推崇,多个重要领域都发现了它的重要性,它在未来的发展趋势势必也会只增不减,现已逐渐将此技术应用到医学方面,该文通过高频发生的抑郁心理问题现状,结合SWOT分析方法,通过研究VR技术与抑郁症心理调适交叉结合的创新模式,推动VR技术在异常心理调适与数字化模式上的探索.     

简述并类比枸杞多糖与常用中药对生殖损伤的药理治疗作用

简述枸杞多糖与常用中药(鹿茸提取物、何首乌提取物)对生殖损伤的药理治疗作用,进一步加强对枸杞多糖的研究深度和其他常见中药治疗生殖损伤的联系,从而开发与应用到对生殖损伤的治疗,对此类疾病有重大现实及临床意义。枸杞是我国传统名贵中药材,素有"红宝"美称。枸杞多糖是从枸杞中提取而得的一种水溶性多糖。具有补肾益精,养肝明目,补血安神,生津止渴,润肺止咳等作用。鹿茸提取物、何首乌提取物类似枸杞多糖具有相同功效,笔者在此基础上就抗氧化、激素分泌等方面进行类比分析治疗关于老化、高温、氧化等导致的生殖损伤问题。现根据讨论分析概述枸杞多糖与常用中药(鹿茸提取物、何首乌提取物)的化学成分和药理治疗作用,为临床和课题研究提供参考,具体内容如下:枸杞多糖与鹿茸提取物和何首乌提取物在类似治疗原理上,都有抗氧化作用和改善生殖器官功能作用,通过抑制甚至清除过氧化物达到降低氧化能力,通过改善内分泌功能达到促进生殖器官生长。枸杞多糖更多的是可以降低各种损伤所带来的继发性生殖损伤,例如高温,氧化,凋亡等。     

高强铝合金角形短柱轴压局部屈曲行为研究

为研究高强铝合金角形轴压短柱的局部屈曲行为，对9个由701-T6和703-T6两种高强铝合金材料制作的角形短柱试件开展了轴压试验，试验结果表明：试件的局部屈曲均发生在材料屈服之前，呈一阶特征值屈曲模态。对所有试件进行了有限元建模计算，将有限元模拟结果与试验结果进行了对比验证，并采用验证后的模型进行了参数分析，研究了板件宽厚比对局部稳定性能的影响，板件宽厚比越大，局部屈曲发生越早。将试验与有限元模拟结果与我国现行标准的计算结果进行了对比，发现现行标准中的局部稳定设计公式计算得到的承载力偏低，用于工程设计中尽管能保证安全性，但无法发挥高强铝合金本身的性能优势。因此，在现行标准设计公式的基础上进行了修正，修正后的设计方法能更准确地计算构件承载力，在保证可靠性的前提下更充分地利用材料强度。     

基于开关瞬态反馈的SiC MOSFET有源驱动电路

受内部寄生参数与结电容的影响,碳化硅(SiC)功率器件在高速开关过程中存在极大的电流电压过冲与高频开关振荡,严重影响了SiC基变换器的运行可靠性。因此,该文首先对SiC MOSFET开关特性进行深入分析,揭示栅极电流与电流电压过冲的数学关系;然后提出一种变栅极电流的新型有源驱动电路;通过对SiC MOSFET开关瞬态的漏极电流变化率d I_d/dt、漏-源极电压变换率d V_ds/dt以及栅极电压V_gs的直接检测与反馈,在开关过程的电流和电压上升阶段对栅极电流进行主动调节,抑制电流电压过冲与振荡;最后在多个工况下对本文所提方案进行实验验证。结果表明,与常规驱动方案相比,该文方法减小了30%～50%的电流电压过冲,有效抑制振荡与电磁干扰,提高了SiC MOSFET变换器的运行可靠性。     

基于驱动电流动态调节的低过冲低损耗SiC MOSFET有源门极驱动

与硅基功率器件相比,碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET具有开关速度更快、导通损耗更低等优点,将越来越广泛的应用于高效高功率密度场合。但是,其开关特性对寄生参数非常敏感,在高速开关过程中极易产生瞬态电压电流尖峰和高频开关振荡,严重威胁Si C基变换器的可靠运行。针对这一问题,文中对SiC MOSFET的开关暂态过程进行深入分析,揭示门极驱动电流对开关过程电压电流过冲、振荡与开关损耗的影响机理。在此基础上,提出一种驱动电流分段动态调节的SiC MOSFET有源门极驱动电路,即根据开关过程不同阶段的状态反馈动态调整器件门极驱动电流。实验结果表明,所提出的方法能够在维持低开关损耗的同时,实现了对SiC MOSFET开关过程中电压电流过冲和高频振荡的有效抑制,提升SiC基电力电子装置的动态性能与运行可靠性。