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1.
陈盘训 《核电子学与探测技术》1985,(1)
本文介绍了中子辐照环境中,隧道二极管性能的退化,即谷电流增加,峰谷比下降、摆幅电压减少。用二次隧道效应理论解释了这种退化过程。 相似文献
2.
为了研究器件辐射回固性能的评估方法,对三种双极晶体管3DK9D、3DG6D和3DG4C(每种100只)做失效概率PF和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述PF和D的关系。B以hFE(D)/hFE(0)=80%、70%、50%为器件失效判据,实验测得的失效分布曲线取决于失效判据。根据PF和D的关系曲线,就可得到三种双极晶体管任意总剂量下的失效概率。它可用于电子线路总剂量辐射下生存概率的评估。 相似文献
3.
陈盘训 《核电子学与探测技术》1985,(4)
本文研究了C、X和KQ等波段体效应二极管的中子辐照损伤效应。实验观察到中子辐照环境中体效应二极管低场电阻变大,工作电流和射频输出下降,VI特性变化,甚至使负阻特性消失。实验认为,器件性能退化是由中子辐照砷化镓材料的载流子去除效应引起的。 相似文献
4.
CMOS电路X射线辐射剂量增强效应 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了CMOS电路在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应,测量了相对剂量增强系数,对不同工艺CMOS电路的剂量增强系数进行了比较,并对高原子序数材料的X射线剂量增强机理进行了讨论。 相似文献
5.
对三种双极晶体管3DG4C、3DG6D和3DK9D(每种100只)作了失效概率P_F和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述P_F和D的关系。取h(D)/h(O)=80%、70%、50%为器件失效判据,实验结果表明,失效分布曲线取决于失效判据。3DG6D的P_F~D曲线由两种斜率的直线组成,这意味着样品组中存在着不同工艺的器件。失效分布曲线斜率揭示了器件抗总剂量特性的均匀度。它可用来作为器件加固工艺的质量监督。当将P_F~D直线外推到低P_F区时,有些器件失效概率为0.1%和0.01%的失效总剂量仅为几十Gy。 相似文献
6.
双极晶体管中子辐射损伤常数的测量 总被引:2,自引:1,他引:1
陈盘训 《核电子学与探测技术》1982,(3)
本文介绍了双极晶体管的中子辐射损伤常数k的重要性和确定K值的实验方法。给出了国产双极硅晶体管损伤常数K与发射极电流密度Je间的实验结果,还介绍了利用k值预估中子辐射环境下工作的双极晶体管增益退化的方法。 相似文献
7.
陈盘训 《核电子学与探测技术》1988,(6)
本文研究了微处理机各种辐射效应及失效模式,评述了各类微处理机目前的抗辐射水平。还讨论了其抗辐射加固途径和辐射损伤的退火。 相似文献
8.
X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固 总被引:1,自引:0,他引:1
陈盘训 《核电子学与探测技术》1997,17(2):81-85
本文研究在X射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法,给出了组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数,从实验结果出发,指出最佳的屏蔽X射线的方法。 相似文献
9.
综述双极器件和双极线性电路在低剂量率辐射环境下的增强损伤,它可引起系统的早期失效。分析了引起低剂量率失效的物理机制,它与MOS器件电离辐射的损伤机制完全不同。为了缩短模拟试验时间和提高效/费比,研究了几种加速模拟试验方法,并对处于低剂量率下系统的加固保证也提出了一些看法。 相似文献
10.
本文介绍CMOS电路在电离辐射环境中闭锁的机理、几种消除闭锁的方法和闭锁窗问题。综述了近十年来国外在消除闭锁方面主要的研究成果。其间,也介绍了作者自己的一些看法。 相似文献