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ＶｅｒｔｉｃａｌＢｒｉｄｇｍａｎＳｅｅｄｅｄＧｒｏｗｔｈｏｆＣｄ＿（１－ｘ）Ｚｎ＿ｘＴｅＣｒｙｓｔａｌｓＨｏｕＱｉｎｇｒｕｎ；ＣｈｅｎＪｉ＇ａｎ；ＺｈａｏＬｅｍｉｎａｎｄＺｈａｎｇＸｉｎｍｉｎ（侯清润），（陈纪安），（赵乐敏），（张新敏）（Ｎｏｒｔｈ... 相似文献
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由于碲镉汞单晶在熔体生长中比较难于获得符合化学计量比的晶体,常常由于晶体的组份不均匀性和晶体结构的不完整性造成器件研制工艺的困难。碲镉汞晶体组份的不均匀性及结构不完整性主要是由于在晶体生长中的高汞压以及赝二元系固液相线的距离宽所致。为了克服上述困难,近年来国外连续发表了有关液相外延生长碲镉汞的方法,同时发表了有关富碲三元系碲镉汞液相外延研究工作,并报导了有关富碲角碲镉汞相图的资料。在富碲角相图的研究中最先应该解决的是富碲碲镉汞合金的凝固点的测量问题。正如我们在发表赝二元系碲镉汞相图前曾对碲镉汞合金材料的熔点进行测定一样,这个问题的解决对富碲碲镉汞相图研究同样是个 相似文献
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用Mo-CVD技术已研制了几种特种半导体材料,(1)注氧GaAs衬底上生长GaAs:根据注氧剂量的不同,已获得各种结晶的GaAs外延层。这种材料将在选择外延中起重要作用;(2)Mo/Si衬底上生长GaAs:由于面积大,价格低和结晶性能较好,GaAs/Mo/Si材料可能成为有前途的太阳电池材料;(3)在GaAs衬底上生长CdTe:CdTe/GaAs是一种复合材料,它有望代替CdTe单晶成为HgCdTe外延的代用衬底。这三种材料的电性和结晶性能已用C-V,I-V,S.E.M和电子衍射以及用X射线能谱进行了研究和测量。 相似文献
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用Mo-CVD技术已研制了几种特种半导体材料,(1)注氧GaAs衬底上生长GaAs:根据注氧剂量的不同,已获得各种结晶的GaAs外延层。这种材料将在选择外延中起重要作用;(2)Mo/Si衬底上生长GaAs:由于面积大,价格低和结晶性能较好,GaAs/Mo/Si材料可能成为有前途的太阳电池材料;(3)在GaAs衬底上生长CdTe:CdTe/GaAs是一种复合材料,它有望代替CdTe单晶成为HgCdTe外延的代用衬底。这三种材料的电性和结晶性能已用C-V,I-V,S。E。M和电子衍射以及用x射线能谱进行了研究和测量。 相似文献
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本文综述MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体技术是生长超品格的需要,介绍了国内外的发展过程及本法的特点。目前在生长HgCdTe外延层方面存在的主要问题是外延层和衬底之间的互扩散和晶格失配。为此,在有机金属源、衬底外延工艺和生长方法上加以改进,因而发展成为:常压(标准)、低压、低温、光致、激光辅助MOCVD和化学束外延(CBE)等六种方法。 相似文献
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ＣａｒｂｏｎＦｉｌｍＣｏａｔｉｎｇＵｓｅｄｉｎＣｄＺｎＴｅＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈＨｏｕＱｉｎｇｒｕｎａｎｄＧａｏＪｕ（侯清润）（高炬）ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＴｈｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＨｏｎｇＫｏｎｇ，ＨｏｎｇＫｏｎｇＷａｎｇ... 相似文献
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Hg_(1-x)Cd_xTe(CMT)epilayers with corresponding wavelength of 10.6μm(x=0.2)were reproduciblygrown on GaAs substrates in a movable hot wall MOCVD reactor.Rather high uniformity of solid compo-sitions was obtained.X-ray diffraction,TEM,DCXD,FTIR and Van der Pauw technique were employedto determine the crystalline,optical and electrical properties of CMT epilayers,which are effectively im-proved as compared with the previous data. 相似文献
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