全文获取类型
收费全文 | 76篇 |
免费 | 15篇 |
国内免费 | 133篇 |
专业分类
电工技术 | 2篇 |
综合类 | 1篇 |
金属工艺 | 1篇 |
机械仪表 | 2篇 |
建筑科学 | 1篇 |
能源动力 | 1篇 |
无线电 | 191篇 |
一般工业技术 | 24篇 |
冶金工业 | 1篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 2篇 |
2022年 | 6篇 |
2021年 | 7篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 2篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 9篇 |
2014年 | 11篇 |
2013年 | 7篇 |
2012年 | 11篇 |
2011年 | 3篇 |
2010年 | 6篇 |
2009年 | 9篇 |
2008年 | 8篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 7篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 16篇 |
2003年 | 12篇 |
2002年 | 8篇 |
2001年 | 10篇 |
2000年 | 8篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 10篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 11篇 |
1995年 | 4篇 |
1994年 | 10篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 1篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 1篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 4篇 |
排序方式: 共有224条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
LaNiO3导电金属氧化物薄膜在现代应用科学研究中作为电极和过渡阻挡层倍受青睐,它具有很好的导电特性和稳定性。该文采用射频溅射法制备了具有(100)择优取向的赝立方结构LaNiO3-x薄膜,并进行了原位热处理。实验结果表明,在265℃的处理条件下,LaNiO3薄膜表现出不稳定性,晶格中的氧在2h内失去了2.7%。氧的损失对品格结构没有明显影响,但薄膜的导电性能明显下降,折射率和消光系数也具有相同幅度的下降。对薄膜的应用具有一定的影响。该文从LaNiO3薄膜的导电机理方面对实验现象给出了分析和解释。 相似文献
2.
用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Hg1-xCdxTe体单晶样品,该方法可直接得到HgCdTe晶片组分的二维平面分布,并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布,以及晶体中非平衡载流子寿命的分布 相似文献
3.
高光谱激光雷达是同时获取光谱和空间信息的主动遥感探测方法。在激光扫描过程中,激光入射角是重要的影响因素之一。在实际应用中,目标表面粗糙度会使其入射角效应偏离朗伯模型。因此,基于Oren-Nayar模型对粗糙表面建立二向反射模型,研究了入射角效应的辐射校正方法。选取8种典型的粗糙表面作为实验对象,分析了各波段后向散射强度与入射角的关系,并量化了粗糙度对强度的影响。基于构建的模型,对该研究样本的入射角效应进行辐射校正。辐射校正后,不同入射角反射率的标准差均不大于0.06;与校正前相比,标准差平均改善率为67.86%。结果表明,所提出的方法提高了提取目标反射特性的准确性,为高光谱激光雷达更好地为开展数据分析与应用提供良好的物理基础。 相似文献
4.
铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)太阳电池产业化受到全世界广泛关注。作为高转换效率薄膜电池,其效率可与晶硅电池相比,目前最高效率达到23.35%。对于小面积实验室电池而言,研究重点是精确控制吸收层的化学计量比和效率;对于工业化生产而言,除化学计量比和效率外,成本、重现性、产出和工艺兼容性在商业化生产中至关重要。重点介绍了不同制备工艺、吸收层组分梯度调控、碱金属后沉积处理、宽带隙无镉缓冲层、透明导电层和柔性衬底等研究进展。从CIGS电池的效率来看,将实验室创纪录的高效电池技术转移到平均工业生产水平带来显而易见的挑战。 相似文献
5.
采用金属有机分解法(MOD)在LNO(100)/Si衬底上制备了Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜,在薄膜的快速退火过程中,增加了一个中间温度预退火过程,并研究了该过程对薄膜晶型结构和铁电性能的影响.结果发现,中间温度预退火过程可以影响薄膜对晶型结构的选择.没有中间温度预退火过程的薄膜,显示出(100)择优取向;而经中间温度预退火的薄膜则表现为随机取向.对薄膜铁电性能的研究表明,没有中间温度预退火过程的薄膜的铁电性能较差,经380℃预退火的薄膜显示出最佳的铁电性能.晶型结构取向和缺陷是影响PLZT。薄膜铁电性能的两个主要因素. 相似文献
6.
通过温度依赖的透射和反射光谱研究了在准同型相界附近的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3(PMN-0.3PT)单晶光学性质.这种禁带宽度随温度范围不同变化规律不同现象,揭示了PMN-PT单晶温度依赖的复杂相结构.禁带宽度Eg在303 K是3.25 e V,临界点Ea是3.93 e V,临界点Eb是4.65 e V,它们随着温度的上升而下降,在453 K禁带宽度Eg是3.05 eV,临界点Ea是3.57 eV,临界点Eb是4.56 eV.这三个跃迁能量Eg、Ea、Eb分别对应从O 2p到Ti d、Ni d、Pb 6p轨道跃迁.它们随温度上升而下降的变化规律可以用晶格热膨胀和电子声子相互作用理论来解释.通过Tauc-Lorentz色散模型拟合得到了303 K到453 K温度范围的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O3-0.3PbTiO_3单晶光学常数及其随温度的变化规律,发现折射率n随着温度的升高而升高. 相似文献
7.
我们研究了非对称In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中二维电子气的磁输运性质,所测量的样品的径向磁阻Rxx的Shubinikov-de Haas振荡没有呈现出拍频的特征。通过测量样品的弱局域效应提取了其零场自旋分裂能并通过对自旋分裂的Rxx双峰间距随倾斜角度theta的依赖关系的拟合提取了高场下的有效g因子。样品的Dingle plot图呈现非线性和特征,这可以归因于来自样品衬底附近的掺杂Be原子的长程势散射效应。 相似文献
8.
用高分辨率的、非破坏的光学表征技术的激光束感应电流研究碲镉汞(MCT)晶片中电活性缺陷和光伏型红外碲镉汞焦平面器件及光伏型硅光电器件P-N结光电特性,实验表明在MCT晶片中探测到激光束感应电流,在光伏型P-N结构的器件中,观察到周期结构的激光束感应电流分布.定性地观察激光束感应电流图谱以及定量地分析单个P-N结的感应电流分布形状可以判断器件的均匀性和器件的质量. 相似文献
9.
现代红外物理研究新进展 总被引:1,自引:0,他引:1
根据现代人们对于光与物质形态认识深入和控制能力增强的情况,讨论当代红外物理研究的框架与特征,红外材料制备与物理研究,红外光电激发动力学研究,红外焦平面列阵光电子物理,凝聚态红外光谱与信息获取处理等方面的光电技术情况和FPA,量子阱。 相似文献
10.
利用溶胶凝胶法在Si(100)和LNO/Si(100)衬底上成功制备了Zn-Mn共掺钛酸钡薄膜.为了更充分地研究掺杂量对薄膜的晶体微结构和铁电性的影响,利用同样的方法分别制备了不同掺杂量的掺Zn和掺Mn钛酸钡薄膜.X射线衍射和原子力显微镜测量的结果表明薄膜均匀致密,且平均晶粒尺寸在30 nm以内.通过比较400~700 nm范围内各钛酸钡薄膜的折射率和消光系数,可以得到,其禁带宽度随着掺Zn或掺Mn量的变化而变化.对薄膜的铁电性能进行研究表明,Zn-Mn钛酸钡具有良好的铁电性,其剩余极化值为11.26μC/cm2,说明微量的Zn-Mn共掺可以增强薄膜的铁电性. 相似文献