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1.
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D集成技术是未来高密度封装的主导技术,但是现有的TSV制备技术需依赖高难度的技术和昂贵的设备。提出了一种通孔双面分步填充工艺,先将通孔的一端电镀封口,然后再从另外一端进行电镀填充。此方法避免了难度很高的大深宽比孔中的种子层制备和自底向上的电镀工艺,降低了加工难度。通过工艺改进解决了狭缝缺陷和凸起/空洞缺陷问题,得到了无孔隙的填充孔径为30μm、孔深为300μm、深宽比为10∶1的TSV阵列。通过电学实验测量了所得TSV的电阻。实验结果证明了其填充效果和导电能力,为实现超小型化封装提供了新的技术思路。  相似文献   
2.
由于其独特的厚度优势,SU-8经常在微加工领域被用作模具,通过电镀实现金属的大深宽比结构.但是,由于电镀的特殊性,其获得的金属结构表面往往需要进行研磨整平.对在SU-8大深宽比结构中电镀金属后形成的复合结构的研磨进行研究,设计并制备了 Cu/SU-8复合结构,并进行了一系列表面磨削实验,分析了复合结构的研磨机理和磨轮的...  相似文献   
3.
阐述了企业文化与企业员工忠诚度的关系.以普华永道会计事务所为例,分析了企业文化时于维系员工忠诚度的重要作用.提出了一种以人为本的企业文化模型.  相似文献   
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