基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性

利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容.电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.     

关于建筑经济审计失真的探讨

建筑业是国民经济发展的重要行业,其经济审计的真实性在很大程度上影响着国家经济的发展。本文主要阐述了建筑施工企业内部经济审计的类别,探讨了经济审计失真的原因,同时针对失真采取措施并进行了分析。     

使用化学方法常温合成金纳米晶并通过旋涂工艺将其组装的存储特性可调型非易失性存储器

3C行业的不断发展,催生了对高密度、持久保存、快速擦写、鲁棒可靠性的非易失性存储器(如flash)的持续需求,促使我们在科研上不断地深入研究新材料、新工艺。在本文中,我们首次采用了区别于传统CMOS工艺的两步工艺方法来制作金属纳米晶非易失性存储器。这种方法,由于将金纳米晶的化学合成和后续组装分离开来,所以能够独立地调节纳米晶的尺寸和组装密度,而且可以很好地避免一直困扰的金属扩散问题。最终的形貌表征和电学测量结果,证实存在一个最优化的纳米晶密度--在这个最优化条件下,我们的存储器件,既有持久的保存时间,又有较大的存储窗口。而组装密度的可调,同时可以满足我们对于大的存储窗口/较长保存时间某一方面的偏好。这些实验结果,都很好地证明了我们两步工艺方法的可行性。     

非挥发浮栅存储器用PtAu纳米颗粒单层膜的制备

将Langmuir-Blodgett（LB）膜等化学方法应用于非挥发浮栅存储器制备工艺中．采用反相微乳液方法合成的分散良好的PtAu纳米颗粒粒径约为5m,并应用LB膜方法在存储器隧穿氧化层上制备了PtAu纳米颗粒的单层膜．采用SEM对LB膜的表面形貌进行观测,研究了表面压对成膜质量的影响,结果表明在表面压为15mN／m时可获得密度为10^11cm^-2均匀分布的PtAu纳米颗粒单层二维阵列,可应用于非挥发性金属纳米颗粒浮栅存储器,并成功拓展了LB膜等化学方法的应用范围．     

Density-controllable nonvolatile memory devices having metal nanocrystals through chemical synthesis and assembled by spin-coating technique

A novel two-step method is employed,for the first time,to fabricate nonvolatile memory devices that have metal nanocrystals.First,size-averaged Au nanocrystals are synthesized chemically;second,they are assembled into memory devices by a spin-coating technique at room temperature.This attractive approach makes it possible to tailor the diameter and control the density of nanocrystals individually.In addition,processes at room temperature prevent Au diffusion,which is a main concern for the application of...     

基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性

利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容.电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.