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薄膜晶体管阵列基板过孔电阻大、耐流性差易发生过孔烧毁,引起显示异常。目前针对过孔电阻与耐流性影响因素及机理尚不明确,制约着未来高耐流性过孔的制备和应用。本文实验结果表明：氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)膜方块电阻减小、过孔坡度角减小、ITO膜与金属接触面积增大均可降低过孔电阻、提升过孔耐流性。结合过孔结构及机理分析指出,过孔电阻主要由ITO膜层自身电阻(RITO)及过孔接触电阻(Rcontact)组成,ITO膜方块电阻及过孔坡度角减小会使RITO减小,ITO膜与金属接触面积增大会使Rcontact减小。基板中部过孔耐流性差与中部的ITO膜方块电阻及过孔坡度角偏大有关。在满足产品光学品质标准前提下,ITO膜厚增厚、调控绝缘层膜质以及干法刻蚀参数减小坡度角、加大过孔接触面积设计是降低过孔电阻、提升过孔耐流性的有效途径。 相似文献
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广东某铀矿1990年在职职工2436人,其中生产性工人1792人。1979年后井下粉尘浓度年平均值均在2mg/m~3以下,用个体取样器实测38个样品,总粉尘浓度为2.79±1.45mg/m~3,呼吸性粉尘浓度1.93±1.06mg/m~3;历年共确诊矽肺72例,发病年龄35.99±6.24岁,Ⅰ期矽肺发病工龄11.0±4.0年,平均死亡年龄47岁,肺结核并发率为54.17%。该矿危害指数为33.87年/1000人年,为 ICRP 提供铀矿山30—50年/1000人年的居中值。历年共经济损失1315.49万元,其中工伤占69.45%,矽肺占30.55%。 相似文献
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