环境对热轧双相钢疲劳裂纹扩展行为的影响

本文研究了一种热轧双相钢在空气和3.5%NaCl 溶液中的疲劳裂纹扩展行为,这种双相钢在空气中具有较好的疲劳裂纹扩展阻力。在3.5%NaCl 溶液中的门槛值比空气中高,这是裂纹内腐蚀产物的楔子作用所致。随着应力比的增加,门槛值降低,并符合应力比对门槛值影响的竞争模型。在较高△K 下,扩展速率符合 Paris 公式。在3.5%NaCl 溶液中的腐蚀为活性腐蚀。     

直接观察位错结构的扫描电镜电子通道衬度技术

介绍了扫描电镜电子通道衬度技术，该技术可以很好地观察材料中位错结构、用这种技术观察受循环载荷作用的铜单晶中的典型位错结构，与常规的ＴＥＭ方法观察结果基本一致。     

双相钢疲劳断口的分形分析

本文研究了双相钢疲劳门槛值与门槛值附近断口形貌和分形维数的关系。初步实验结果表明:分形维数基本上能反映断口粗糙度。发现门槛值随分形维数呈线性变化,门槛值、分形维数和粗糙度都随马氏体含量呈抛物线型变化。     

短疲劳裂纹及其扩展

本文简要介绍了短疲劳裂纹的分类、扩展特征、影响因素、有关解释和实验技术,评述了线弹性断裂力学在短裂纹研究中的应用及其局限性,指出了今后应着重研究的问题。     

EFFECT OF ENVIRONMENT ON THE BEHAVIOR OF FATIGUE CRACK GROWTH IN AN AS-ROLLED DUAL-PHASE STEEL

本文研究了一种热轧双相钢在空气和3.5%NaCl 溶液中的疲劳裂纹扩展行为,这种双相钢在空气中具有较好的疲劳裂纹扩展阻力。在3.5%NaCl 溶液中的门槛值比空气中高,这是裂纹内腐蚀产物的楔子作用所致。随着应力比的增加,门槛值降低,并符合应力比对门槛值影响的竞争模型。在较高△K 下,扩展速率符合Paris 公式。在3.5%NaCl 溶液中的腐蚀为活性腐蚀。     

用扫描电镜直接观察变形材料中的位错结构──[001]取向铜单晶疲劳位错结构的研究

用扫描电镜（SEM）的电了通道讨度（ECC）技术研究了[001]取向铜单晶中的疲劳位错结构结果表明，SEMECC技术不仅可以真实地、全面地显示疲劳位错组态，而且还揭示了表面出现的宏观形变带与位错结构的对应关系.     

DIRECT OBSERVATION OF DISLOCATION STRUCTURE IN DEFORMED MATERIALS BY SEM──Dislocation Structure in a Fatigued [001] Cu Single Crystal

用扫描电镜的电子通道衬度技术研究了「００１」取向铜单晶中的疲劳位错结构。结果表明，ＳＥＭ－ＥＣＣ技术不仅可以真实地，全面地显示疲劳位错组态，而且还揭示了表面出现的宏观形变带与位错结构的对应关系。     

小角度晶界铜晶体的循环形变及饱和位错组态ECC观察

通过对具有小角度晶界的铜晶体进行循环变形，发现其循环饱和切应力在塑性切应变范围０．６—４．７×１０－３内基本不变（约为３０ＭＰａ）。采用电子通道衬度（ＥＣＣ）技术观察了其循环饱和时晶内、晶界及形变带附近的位错组态，发现在低应变幅下（γｐ１＝０．６×１０－３）晶内为驻留滑移带及脉络两相结构。随应变幅升高（γｐ１＞１．７×１０－３）驻留滑移带逐渐增多，最后形成规则的位错墙结构，并且位错墙连续穿过小角度晶界，在局部区域还发现小角度晶界两侧出现无位错区（ＤＦＺ）；结合宏观形变带观察表明位错墙与形变带方向一致