PbI2掺杂对CH3NH3PbI3光电性能的影响

采用溶液生成法制备了有机铅卤化钙钛矿(CH3 NH3PbI3)晶体粉末,并以过量的PbI2对其进行掺杂,采用X射线衍射谱(XRD)技术研究了掺杂前后样品的晶体结构变化.表面光电压谱(SPS)和相位谱(PS)显示掺杂前后的CH3 NH3 PbI3均为p型半导体,但后者有更强的光伏响应.场诱导表面光电压谱(FISPS)表明:当加正电场时,掺杂前后的CH3NH3PbI3均表现为p型半导体的载流子特性,当加负偏压时掺杂后的CH3NH3PbI3易形成反型层,出现光伏反转,且外加负偏压越大,光伏反转区域越大,表现出双极导电特性.     

Cu2O-CuO复合颗粒的制备及其光电性能的对比研究

通过水热法合成纯的Cu2O颗粒,通过氧化还原法合成Cu2O-CuO复合颗粒和纯的CuO颗粒.采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射谱对产物的结构、组成进行了研究.结果表明,Cu2 O-CuO复合颗粒为立方体多刺结构.表面光电压实验表明,所得的Cu2O-CuO复合颗粒具有特殊的瞬态光电压,能敏锐察觉到光源的变化.光催化实验表明,Cu2O-CuO复合颗粒具有不弱于纯Cu2O颗粒的光催化活性.