排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
在碳化硅MOSFET大范围应用下,其开关瞬态过程愈发引人关注.由于碳化硅比起硅器件有更高的开关频率,因此其开关特性受到结电容和杂散电感的影响.对碳化硅MOSFET开关过程进行瞬态分析,推导了它的开关模型.通过开关模型提取出其电压变化率和电流变化率,在考虑杂散参数的基础之上寻找其与电压及电流变化率之间的联系.仿真及实验通... 相似文献
2.
一种电流预测控制的自适应变步长最大功率跟踪方法 总被引:2,自引:0,他引:2
针对定步长扰动观察法存在的不足(扰动步长过小,外部条件变化较快无法快速跟踪;扰动步长过大,在最大功率点功率振荡比较大),为了提高电流快速跟踪能力,提出一种基于电流预测控制的自适应变步长最大功率跟踪方法。该方法结合自适应变步长控制器和电流预测控制器各自优点,将此方法应用于中点钳位型三相三电平光伏发电系统。建立起10 kW三相三电平光伏发电系统实验平台,并与传统最大功率跟踪方法进行对比实验。实验结果表明:所提出的最大功率跟踪方法使系统具有很好的静、动态性能。 相似文献
3.
4.
5.
6.
7.
此处提出了一种用于电路仿真的碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)模型,并且详细提取了模型参数.该模型精确考虑了二极管的反向I-U特性,并且简化了电阻温控模型.模型中的电压控制电流源被分为两个电流源,正向偏置电流源和反向偏置电流源.所提出模型的参数均从数据表中提取.PSpice电路仿真软件已经实现了提出的新模型.与传统的PSpice仿真模型相比,该新模型的准确性更高.同时,此处建立了一个降压变换器来比较SiC SBD和硅(Si)二极管的性能. 相似文献
1