稀磁半导体Zn1-xCoxSe中的电子云延伸效应及压力对电子云延伸效应的影响

通过对Co2+自由离子的3D电子径向波函数进行分析,引入了一个电子云延伸效应修正因子κ来修正这一波函数,从而得到了稀磁半导体Zn1-xCoxSe晶体中Co2+受到了晶体场作用的3D电子径向波函数.应用这一修正后的波函数,计算了Zn1-xCoxSe晶体的光谱跃迁.从物理学的本质出发,考虑了高压力对电子云延伸效应修正因子κ的影响,并且计算了Zn1-xCoxSe晶体吸收谱的压力蓝移谱,得到的蓝移率为dE/dp＝0.45meV/GPa.     

附加类克介质三能级原子系统中光场的相位特性

本文运用 Ｐｅｇｇ－Ｂａｒｎｅｔｔ理论研究类克尔介质腔内相干光场与三能级原子相互作用中相位的演化特性．讨论了类克尔介质的非线性相互作用对相位特性的影响．     

介观耦合电路量子涨落与温度的关系

由于电流在电路中运动会产生焦耳热,因而介观电路总是工作在有限的温度下。本文讨论有限温度下介观耦合电路的量子效应,结果表明电荷和电流的量子涨落的温度有关。     

稀磁半导体ZnX∶Co2+光磁性质的双共价因子和双ξ模型

考虑到d电子t2g轨道与eg轨道局域性的差异,用双共价因子研究了掺Co2+的共价晶体ZnX(X=S,Se)的光学吸收谱.在研究顺磁g因子时,除考虑中心离子的旋-轨耦合贡献外,还计及配体的旋-轨耦合贡献(双ξ模型).研究表明,计算结果与实验值吻合得很好,对于一些共价性较强的化合物晶体,该方法更加有效.     

介观LC电路的量子压缩效应

根据介观电容器可看成一个介观隧道结的物理事实,对介观LC电路作了相应的量子处理.研究表明:介观LC电路将由初始的真空态演化到压缩真空态,并对压缩真空态下的量子涨落进行研究.     

介观耦合金属环中的持续电流

在考虑电荷是量子化的基础上，计算了处在外加磁场中的三个有相互耦合作用的介观金属环中的持续电流，分析研究了耦合因素对金属环中持续电流的影响。结果显示，持续电流的幅度不仅受耦合的强度而且还受耦合的相对方向的共同影响．     

稀磁半导体ZnX∶Co2+光磁性质的双共价因子和双ξ模型

考虑到d电子t2g轨道与eg轨道局域性的差异,用双共价因子研究了掺Co2+的共价晶体ZnX(X=S,Se)的光学吸收谱.在研究顺磁g因子时,除考虑中心离子的旋-轨耦合贡献外,还计及配体的旋-轨耦合贡献(双ξ模型).研究表明,计算结果与实验值吻合得很好,对于一些共价性较强的化合物晶体,该方法更加有效.     

介观耗散耦合电感电路的量子涨落

从有源耗散耦合电感电路的经典运运方程出发,通过三个么正交换实现了哈密顿量的正则变换,给出了相应的变换矩阵,计算了真空态下介观电路中电荷和电流的量子涨落。     

三网孔介观电容耦合电路的量子效应

本文将三网孔介观电容耦合电路系统看作一个正则系综，通过计算正则系综的密度矩阵方程得出有限温度下耦合电路中电荷和磁通量的量子涨落．高频下，电路中电荷的量子涨落类似于低温下的情形，表现为典型的量子噪音；磁通量的量子涨落则不单是零点的量子涨落，总是和温度有关；绝对零度下，输入、输出网孔中电荷和磁通量不确定度的乘积保持相等．     

稀磁半导体Zn1-xCoxSe中的电子云延伸效应及压力对电子云延伸效应的影响

通过对Co2+自由离子的3D电子径向波函数进行分析,引入了一个电子云延伸效应修正因子κ来修正这一波函数,从而得到了稀磁半导体Zn1-xCoxSe晶体中Co2+受到了晶体场作用的3D电子径向波函数.应用这一修正后的波函数,计算了Zn1-xCoxSe晶体的光谱跃迁.从物理学的本质出发,考虑了高压力对电子云延伸效应修正因子κ的影响,并且计算了Zn1-xCoxSe晶体吸收谱的压力蓝移谱,得到的蓝移率为dE/dp＝0.45meV/GPa.