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介绍了制备InSb红外探测器列阵所需要的半导体工艺。业已成功地制备了高质量的MOS(金属—氧化物—半导体)、MOSFET(金属—氧化物—半导体场效应晶体管)以及线列和二维CID(电荷注入器件)列阵器件。确定了MOS电容的界面态密度小于5×10~(10)厘米~(-2)·电子伏~(-1)。这些结果意味着能够制备自扫描单块列阵。借助探测率(D~*)和响应率(R)对线列和二维CID列阵的性能进行了评价。测出了一个64元的线列的平均D~*为3.4×10~(11)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1),这个值相当于背景限D~*值的70%。R为1×10~(-5)伏/光子,其均匀性为10%。也得到了32×32元列阵的D~*和R值。 相似文献
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InSb混合红外焦平面工艺研究 总被引:1,自引:1,他引:0
InSb 光伏线列器件是以 n 型 InSb 为衬底,扩散 Cd 形成 p-n 结,经光刻、蒸电极、焊接等工艺制成。SiCCD 为表面 p 沟器件,可按延时积分(TDI)和多路传输(MUX)两种方式工作。在研制1×12、2×12、1×64、2×64元 InSb 光伏线列器件并与 SiCCD 进行互连的基础上,从开发64×64元 InSb 混合红外焦平面着眼,我们进行了64×16元 InSb 光伏面阵的研制,并在 InSb 面阵和 Si 上电镀 In 柱,用我们研制的 HDD-1型红外对准倒焊机进行了对焊,开展了背面辐照 InSb 混合红外焦平面的工艺研究。本文介绍了工艺实验状况,并对工艺实验中有关问题进行了讨论。 相似文献
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本文选取5种腐蚀液对 InSb 晶片进行化学抛光。用扫描电镜(SEM)对抛光前后的 InSb 晶片进行了表面形貌、电子束通道图案、表面组分和杂质的对比观测,并对观测结果进行了讨论。实验结果表明:用乳酸液抛光可获得光滑平坦、In/Sb 原子比接近1的表面。 相似文献
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有三种方法能在p型锑化铟(InSb)上形成n~+层。这就是:(1)以能量为60keV、剂量为1×10~(15)Cm~(-2)的质子进行轰击;(2)以能量为100keV、剂量为2×10~(15)cm~(-2)的硅离子进行轰击;(3)Q开关钕—钇铝石榴石(Nd:YAG)激光器照射。将晶片等时退火30分钟后研究了上述三种效应。(1)和(3)两者可以不经退火直接形成n~+层;而方法(2),开初产生p型层,经200℃以上的温度退火后才转换为n~+层。采用方法(2)和(3)得到的n~+层能够经受的退火温度达350℃;而用方法(1)得到的n~+层,当退火温度超过100℃时,又恢复为p型。采用方法(2)和(3)制备的台面型二极管,77K时,正向电流密度由J=1×10~(-3)exp(qV/1.7kT)A/cm~2确定;结电容与反向偏压之间的关系为C∝(V_D+|V|)~(-0.43)。其中扩散势V_D为0.2V。 相似文献
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1985年9月,我们测试了云南天文台进口的两套InSb光伏型红外探测器系统。并利用这两套系统做了许多红外天文课题的测量工作。InSb系统由三个主要部份组成:InBb探测器、金属杜瓦瓶和固定子杜瓦瓶一侧的前置放大器。InSb器件与场镜、滤光片和孔径滑块以及作为第一级前放的JFET均安装在致冷 相似文献
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简要报道昆明物理研究所锑化铟体晶材料、弹用锑化铟红外探测器组件和320×256锑化铟焦平面器件的最新进展. 相似文献